1. 应用
自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用。
2. 简介
晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成和高级封装的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，融合了熔合的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850LT确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。
3. EVG850 LT晶圆键合机特征
1) 利用EVG的LowTemp™等离子激 活技术进行SOI和直接晶圆键合
2) 适用于各种融合/分子晶圆键合应用
3) 生产系统可在高通量，高产量环境中运行
4) 盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）
5) 无污染的背面处理
6) 超音速和/或刷子清洁
7) 机械键合或平面对准的预键合
8) 的远程诊断
4. 技术数据
1) 晶圆直径（基板尺寸）
A. 100-200、150-300毫米
B. 全自动盒带到盒带操作
2) 预键合腔
A. 对准类型：平面到平面或凹口到凹口
B. 对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°
C. 结合力：高达5N
D. 键合压力起始位置：从晶圆边缘到中心灵活变化
E. 真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件）
3) LowTemp™等离子激 活模块
A. 2种标准工艺气体：N2和O2以及2种其他工艺气体：高纯度气体（99.999％），稀有气体（Ar，He，Ne等）和形成气体（N2，Ar含量蕞高为4％的气体）2）
B. 通用质量流量控制器：可自校准多达4种工艺气体，可进行配方编程，流速高达20.000sccm
C. 真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件），高频RF发生器和匹配单元
4) 清洁站
A. 清洁方法：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）
B. 腔室：由PP或PFA制成
C. 清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（蕞大）。2％浓度（可选）
D. 旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件）由不含金属离子的清洁材料制成
E. 旋转：蕞高3000rpm（5s）
F. 清洁臂：蕞多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）
5) 备选功能
A. ISO3迷你环境（根据ISO14644）
B. LowTemp™等离子活化腔室
C. 红外检查站
