英国Raptor Photonics公司的Falcon III XV相机是可以直接放置在真空腔室内的高速X射线相机，帧频可达31帧/秒。相机采用电子倍增EMCCD芯片，高达5000倍的EMGain，实现对采集信号的放大，探测能量范围覆盖12eV到20keV，可实现对真空紫外VUV、软X射线的直接探测。
主要特性
相机放置在真空腔室内使用
EMCCD芯片，分辨率1024x1024
满分辨率帧频31fps
可直接探测能量范围12eV-20keV
制冷温度-70℃，暗电流<0.001e - /p/s
提供完整真空馈通的解决方案
典型应用
EUV X射线光谱、软X射线显微镜、VUV/EUV/XUV光刻、X射线衍射成像(XRD)、X射线荧光成像(XRF)、X射线相衬成像
>>X-ray衍射（XRD）
X-ray衍射是一种研究物质特性的技术，如大分子、晶体、粉末、 聚合物和纤维。 当X-ray穿过物质时，它们与原子中的电子相互作用，并分散开 来。如果原子是在平面上组织的（即物质是结晶的），并且原子之间 的距离与X-ray的波长大小相同，则会发生构造性和破坏性的干涉， 并形成衍射图案。根据所研究物质的种类，可以使用单色X-ray、粉 红束（窄带）X-ray或白束（宽带）X-ray。
>>EUV紫外光刻
半导体工业使用波长从 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源，其特征尺寸小于100nm，但已达到光刻技术的界限。认识到这 一限制，该行业在过去几年中一直在寻找一种潜在的后继技术，以生 产小于100nm的特性。半导体工业研究的下一代光刻技术包括超视 距光刻、X-ray光刻、离子束投影光刻和电子束投影光刻。尽管EUV 光刻技术也有其挑战，但它经常被使用，因为它保留了上述光刻技术 （波长13.5nm）的外观和感觉，以及使用了相同的基本设计工具。 因此，直接探测X-ray相机为光刻系统工作中提供了好的诊断 和监控手段。
>>XUV、软X射线及EUV光谱
美国McPherson Instruments公司的251MX平场光谱仪，采用新的120g/mm光栅和EA4710XO-BN相机，可以轻松实现XUV、软X射线及EUV光谱的测量。
Falcon III XV – In Vacuum X-Ray
In-Vacuum, Digital Monochrome EMCCD X-Ray Camera
The Falcon III XV is Raptor’s latest offering for the in-vacuum X-Ray market, perfect for imaging very weak X-Ray samples close to UV and VUV, where speed is important. Using a next-generation uncoated EMCCD sensor offering 1MP resolution with 10µm square pixels, the Falcon III XV offers ultimate sensitivity and low noise, running at 30 fps in full resolution, faster if ROI’ed or binned. The Falcon III XV is available with a range of feedthrough options – including trigger, liquid, power and CameraLink.
In-Vacuum – High energyin-vacuum direct detection
Back-illuminated EMCCDwith no coating – Optimises sensitivity and large field of view imaging from1.2keV to 20keV
Fast frame rate in fullframe resolution: 30fps – Ideal for fast repetition rates
Deep cooled to -70°C – For minimalbackground events
Optional Accessory | Part Number | Notes |
Power Feedthrough | RPL-PFC | 19-way hermetic bulkhead feedthrough; 3m, 19-way, in vacuum cable |
CameraLink Feedthrough | RPL-CLFC | MDR-MDR Feedthru Plate; Cameralink Cable 3m MDR to MDR |
KF40 Liquid Feedthrough | RPL-DN40KF-WFC | KF40 flange with 2-off ¼" pipes, terminated with swagelok fittings |
2.75" CF Liquid Feedthrough | RPL-DN40CF-WFC | 2.75" CF flange with 2-off ¼" pipes, terminated with swagelok fittings |
KF40 Trigger Feedthrough 2 SMAs | RPL-DN40KF-TFC | KF40 flange with 2-off female SMA to SMA feedthroughs; |
2.75" CF Trigger Feedthrough | RPL-DN40CF-TFC | 2.75" CF flange with 2-off female SMA to SMA feedthroughs; |
Air Side Water Tubing | RPL-WTUBE-XV | Includes tubing and connectors. Stainless Steel Hose Connector, 1/4 in. Tube Adapter, 1/4 in; 5mm ID Flexible PVC Tubing (2m length); |
EPIX EB1 frame grabber | RPL-EPIX-EB1 | |
EPIX XCAP Std software | RPL-XCAP-STD | |
CameraLink Cable (2m) | RPL-CL-CBL-2M | Longer Camera Link cable available. |
Mini PC with XCAP Std and frame grabber | RPL-PC-EL1 | |
Thermoelectric Water Chiller Unit | RPL-CHILLER | Recommended coolant flow rate >0.5l/min & cooling capacity >100W @ 20°C. |
产品参数：
型号 | FA351XV-BN-CL |
芯片类型 | EMCCD |
有效像素 | 1024 x 1024 |
像素尺寸 | 10µm x 10µm |
有效面积 | 10.2mm x 10.2mm |
满阱 | >29ke- |
移位寄存器阱深 | 200ke- |
读出噪声（RMS） | EM Gain ON: <1e- EM Gain OFF: <60e- |
满分辨率帧频 | 31Hz |
曝光时间 | 1ms to >1hr |
暗电流（e-/p/s） | 0.001 @ -70°C |
数据输出格式 | 16 bit Camera Link (base configuration / SDR) |
峰值量子效率 | ＞95 |
光谱响应范围 | 12eV to 20keV |
制冷温度 | 70°C with 20°C liquid |
像元合并 | 1x1 up to 8x8 |
同步方式 | Trigger IN and OUT - TTL compatible |
供电方式 | 12V DC ±0.1 |
总功耗 | <75W (TEC ON, Steady State) |
工作温度 | -20°C to +55°C |
存储温度 | -30°C to +60°C |
外形尺寸 | 168.7mm x 120.0mm x 118.6mm |
重量 | <1.5Kg |
典型应用
X射线成像,X射线衍射(XRD)和x射线荧光(XRF),X射线等离子体成像与诊断,软X射线显微镜,EUV X射线光谱学,X射线源表征,X射线相位对比成像,X射线断层扫描
VUV/EUV/XUV成像和光刻,晶体学
>>X-ray衍射（XRD）
X-ray衍射是一种研究物质特性的技术，如大分子、晶体、粉末、 聚合物和纤维。 当X-ray穿过物质时，它们与原子中的电子相互作用，并分散开 来。如果原子是在平面上组织的（即物质是结晶的），并且原子之间 的距离与X-ray的波长大小相同，则会发生构造性和破坏性的干涉， 并形成衍射图案。根据所研究物质的种类，可以使用单色X-ray、粉 红束（窄带）X-ray或白束（宽带）X-ray。
>>EUV紫外光刻
半导体工业使用波长从 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源，其特征尺寸小于100nm，但已达到光刻技术的界限。认识到这 一限制，该行业在过去几年中一直在寻找一种潜在的后继技术，以生 产小于100nm的特性。半导体工业研究的下一代光刻技术包括超视 距光刻、X-ray光刻、离子束投影光刻和电子束投影光刻。尽管EUV 光刻技术也有其挑战，但它经常被使用，因为它保留了上述光刻技术 （波长13.5nm）的外观和感觉，以及使用了相同的基本设计工具。 因此，直接探测X-ray相机为光刻系统工作中提供了好的诊断 和监控手段。
>>XUV、软X射线及EUV光谱
美国McPherson Instruments公司的251MX平场光谱仪，采用新的120g/mm光栅和EA4710XO-BN相机，可以轻松实现XUV、软X射线及EUV光谱的测量。
X-Ray Imaging
X-Ray Diffraction (XRD) and X-Ray Fluorescence (XRF)
X-Ray Plasma Imaging and Diagnostics
Soft X-Ray Microscopy
EUV X-Ray Spectroscopy
X-Ray source characterization
X-Ray Phase Contrast Imaging
X-Ray Tomography
VUV/EUV/XUV Imaging and Lithography
Crystallography
