深紫外探测器

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公司名称光傲科技
品牌
型号
所在地上海市
厂商性质其他
更新时间2026/7/4 12:16:44
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公司介绍主营产品

光傲科技自成立以来，始终专注于为客户提供专业、量身打造的光电计量测试方案，包含实验室测试、现场测试、产线测试三大领域：辐射度测量/Radiation Measurement光电材料与器件测试/Material Test精密光学测量/Optical Metrology服务的行业：国家及地方所、质检所汽车、飞机座舱仪表及照明航天、国防辐射计量测试光电显示行业LED及照明行业大学及研究院所核心优势：覆盖全产业的产品线：从研发设计到测量、到生产；从芯片到灯具、到现场测试完整的产品线，服务客户的每一步。的供应商：我们的供应商多是各自领域享有盛名的仪器制造商，是许多行业事实上的标准。全面、系统的专业知识：我们深刻理解探测器、光学材料元件、光路系统，具备同类公司所没有的专业能力和行业经验积累。不断提高的系统集成和技术支持能力追溯NIST的校正实验室：采用进口标准光源，目前可进行成像亮度色度计、光谱辐射亮度计、照度计的鉴定和校正工作基于在线测试的系统集成能力：基于代理产品的高精度测试仪器，结合公司的软硬件集成设计能力，已经为许多业内工厂提供成套产线测试系统。产品优化设计咨询：基于的仿真设计软件，以及光源、材料测试平台，解决客户灯具、背光、显示器产品开发过程中的各种疑难杂症。测试服务：基于公司自有进口测试设备，整合客户资源和*条件，提供复杂产品的测试服务。

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深紫外探测器产品信息

深紫外探测器

美国IRD公司，专门制造用于探测紫外、深紫外、真空极紫外和软X射线光子的探测器。IRD公司是目前能够制造并商用的用于检测VUV、EUV检测的Si探测器生产厂家。可用于紫外、深紫外的探测器有两大系列:

UVG 系列:更加适合于130nm -1100nm 光相关的检测，可集成制定波长窄带滤光片
SXUV系列:适用于高光通量的场合，如UV/EUV脉冲辐射、准分子激光等，脉冲能量密度超过0.1 µJ/cm²。可集成制定波长窄带滤光片。
AXUV系列主要用软X射线、极紫外、X射线、低能离子等辐射探测。详见辐射探测系列探测器.

光谱响应曲线

UVG系列技术参数（22摄氏度）:

	Sensitive Area (mm^2)	Size (mm)	Package Type	Shunt Resistance (M-Ohm)	Dark Current at 50V	Capacitance at 0V	Risetime (10-90%)
	100	10 X 10	Ceramic	100	*	20 nF**	10 µSec**
	330	22 X 15	Plastic	20	*	40 nF**	15 µSec**
	20	5 Ø	TO-8	1000	*	4 nF**	2 µSec**
	20	5 Ø	TO-8	1000	*	4 nF**	2 µSec**
	20	5 Ø	BNC	1000	*	2 nF**	2 µSec**
	20	5 Ø	Ceramic	100	*	5 nF**	1 µSec**
	20	5 Ø	Ceramic	100	*	5 nF**	1 µSec**
	12	4 Ø	TO-5	1000	*	2 nF**	2 µSec**
	10	10 X 1	Ceramic	1000	*	2 nF**	2 µSec**
	12	4 Ø	TO-5	1000	*	2 nF**	2 µSec**
	5	2.5 Ø	TO-5	1000	2 nA	200 pF	< 2 nSec
	5	2.5 Ø	TO-5	1000	2 nA	200 pF	< 2 nSec
	576	24 X 24	Metal	10	*	100 nF	50 µSec**
#	.05	.22 X .22	SMA	1000	100 pA	5 pF	.25 nSec
#	.05	.22 X .22	SSMA	1000	100 pA	5 pF	.25 nSec
	.005	.07 X .07	SSMA	1000	50 pA	15 pF	80 pSec
	.026	.16 X .16	SMA	1000	100 pA	150 pF	200 pSec
	1	1 X 1	SMA	1000	200 pA	400 pF	700 pSec
	.00063	.025 X .025	SSMA	1000	20 pA	15 pF	50 pSec
	11 (X4)	7.6 Ø	Metal	100	*	2 nF	1 µSec**
	1.25 (X4)	2.5 Ø	Metal	20	*	0.1 nF	0.5 µSec

SXUV系列技术参数

Sensitive Area (mm^2)	Size (mm)	Package Type	Shunt Resistance (M-Ohm)	Dark Current at 50V	Capacitance at 0V	Risetime (10-90%)
576	24X24	Metal	5	*	1000 nF*	2 µSec**
330	22X15	Metal	10	*	40 nF*	15 µSec**
330	22X15	Ceramic	5	*	40nF	15 µSec**
100	10 X 10	Ceramic	10	*	20 nF**	10 µSec**
100	10 X 10	Ceramic	10	*	20 nF**	10 µSec**
100	10 X 10	Cermaic	10	*	20 nF**	10 µSec**
100	10 X 10	Ceramic	10	*	20 nF**	10 µSec**
20	5.0 Ø	TO-8	100	*	4 nF**	2 µSec**
20	5.0 Ø	TO-8	100	*	4 nF**	2 µSec**
20	5.0 Ø	Ceramic	100	*	4 nF**	2 µSec**
20	5.0 Ø	Ceramic	100	*	4 nF**	2 µSec**
20	5.0 Ø	TO-8	100	*	4 nF**	2 µSec**
20	5.0 Ø	BNC	100	*	4 nF**	2 µSec**
10	1 X 10	C10A	400	*	1 nF**	0.6 µSec**
5	2.5 Ø	TO-5	200	20 nA	200 pF**	< 2 µSec**
5	2.5 Ø	TO-5	200	20 nA	200 pF**	< 2 µSec**