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华科智源-HTGB高温栅偏试验系统

参考价面议
具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称深圳市华科智源科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       号GKH-HTGB-C
  • 所  在  地深圳市
  • 厂商性质经销商
  • 更新时间2026/4/22 10:45:52
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  深圳市华科智源科技有限公司,是一家专业从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务,坐落于改革开放之都-中国深圳,核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产,公司产品主要涉及MOS管直流参数测试仪,MOS管动态参数测试仪,IGBT测试仪,IGBT动态参数测试系统,IGBT静态参数测试仪,功率循环,雪崩及浪涌测试设备,产品以高度集成化、智能化、高速、超宽测试范围等竞争优势,将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等,客户行业涉及轨道交通,地铁,电驱动,新能源汽车,风力发电,变频器,家电等领域;华夏神州,科技兴国,智能创新,源远流长;华科智源公司核心团队由华中科技大学,复旦大学等国内高校研究所、行业应用专家等技术人才组建,致力于中国功率半导体事业,积极响应国家提出的中国制造2025战略,投身于半导体测试设备国产化。
igbt静态参数测试仪,10us浪涌电流测试仪,分立器件测试仪,栅极电阻/电容测试仪
华科智源-HTGB高温栅偏系统,将被测量元件放置在一定的环境温度中,给被测元件的栅极施加一定的偏置电压。系统实时检测每个材料的漏电流、电压,当被测材料实时漏电流超过设定值时,自动切断被测材料上的电压。
华科智源-HTGB高温栅偏试验系统 产品信息


★主要技术规格和性能:
产品型号GKH-HTGB-C16
产品名称高温栅偏试验系统
高温试验箱PH-201高温试验箱一台,
试验区域16个 
试验容量每通道80工位,共16通道。
试验电源选配TDK的Z+系列电源或安捷伦试验电源。
电源数量:配置4台/8台电源。
输出范围:0~35V或0~60V。
主要功能① 正常HTGB试验,通过按钮可以选择正栅压或负栅压,两种偏压工作时只能二选一,不能同时工作。
② 热阻测量,即测量HTGB工作时的Tj值。
③ 高温试验箱内可放置4层板或8层板。具体需根据器件的封装尺寸定义。当被测量模块体积过大时,由于体积的限制,被测器件数据需相应减少。
④ 可选配温度为300℃的高温试验箱。
测控功能① 检测每个材料的电压、漏电流值。
② 漏电流超限保护,自动切断测量回路。
③ 测量电流范围:1nA~100uA;
④ 电流分辨率:0.5nA;
⑤ 测量精度:±2%±3nA;
防静电设计① 设备外壳良好接地;
② 预留静电接地端子(香蕉插头插孔)方便操作员连接静电环。
计算机工业级电脑主机、液晶显示器、专用键盘及鼠标。WINDOWS操作界面,友好的人机对话窗口, *的图形编辑能力以及*的器件库供用户选择,软件操作简单易学。更有系统查询诊断功能, 试验状况一目了然,方便用户随时查验。
老化板可按客户的器件封装定制老化板。
电网要求单相AC220V±10%,47Hz~63Hz,6KW
外形尺寸W1360mmхH1820mmхD1320mm
重量约500kg 


高温反偏试验(High Temperature Reverse Bias Test,HTRB)是在高温下加上反向偏压的工作模式,由于高温下漏电流增加,质量差的器件就会失效,以此评估产品的可靠性。

测试温度:125℃,150℃或175℃。

测试时间:168h,500h,1000h。

测试目的:研究器件在静态工作模式下,以额定反向直流电压下或者80%额定反向直流电压进行工作,以确定偏置条件和温度随时间对固态设备的影响。

参考测试标准:JESD22-A108

 

高温栅偏试验(High Temperature Gate Bias, HTGB)主要是用于测定栅氧本身及相关界面的可靠性。

测试温度:150℃或175℃。

测试时间:500h,1000h。

参考测试标准:JESD22-A108

HTBR和HTGB是可靠性测试中见的测试项目。

适用测试器件:功率二极管, SiC肖特基和肖特基二极管,晶闸管,三端双向可控硅和IGBT。

试验设备:高温反偏试验机


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