扩散后制程控制
Suns-Voc阶段对于在铝烧，再次前网燃烧之后测量晶片是理想的。这使得这些步骤的优化和监测保持电压，获得良好的欧姆接触，避免分流。
Suns-Voc 的强大应用
通过直接探测p和n区，或者探测金属化层（如果存在），就能测量光－VOC曲线。此曲线可以显示为我们的太阳VOC图或以标准的光伏曲线的形式，光伏曲线可以用来表示分流的特征。整个曲线在开路状态下测量，不受串联电阻的影响。
Suns-Voc系统特性
非常适用于浆料烧结优化和过程控制。开路的方法指出了太阳能电池PN结形成后的上限值。
•硅片台温度控制在25℃
•细点电压探头
•磁探针兼容性、氙灯与中性密度过滤器
•可微调强度范围的高度可调后柱
•显示标准的I-V曲线格式和Suns-VOC曲线
•测量不受串联电阻的影响的理想晶片特性
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 每次测试报告的参数 | 开路下的暗IV曲线：材料对效率的限制 拟合效率 拟合填充因子 双二极管分析 漏电分析 |
| 典型的经过校准的光照范围 | 0.006-6suns |
| 硅片尺寸，标准配置 | 上限230mm直径/边沿 |
