当前位置：西安方恒电子科技有限公司>>传感器>>加速度传感器>>MEMS三轴加速度传感器

MEMS三轴加速度传感器

返回列表页

参考价: ￥ 1000

订货量: ≥1 件

具体成交价以合同协议为准

产品型号FH413A05

品牌其他品牌

厂商性质生产商

所在地西安市

在线询价收藏产品查看联系电话

联系方式：周斌查看联系方式

更新时间：2025-05-06 16:32:37浏览次数：26次

联系我时，请告知来自智慧城市网

产品分类 品牌分类

  传感器

应变计

加速度传感器

全部产品列表

  其他品牌

西安方恒电子科技有限公司

经营模式：生产厂家

商铺产品：8条

所在地区：陕西西安市

联系人：周斌（经理）

询价 给他留言

产品简介

量程	±2-±40g	灵敏度	500mv/g
输出	0-5V

FH413A05 MEMS三轴加速度传感器由我公司自行研制，用于测量加速度的传感器。它采用低功耗、高精度、低噪声MEMS芯片，具有 BIMOS 信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。
本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等

详细介绍

FH413A05 MEMS三轴加速度传感器说明书

一、简介

FH413A05 MEMS三轴加速度传感器由我公司自行研制，用于测量加速度的传感器。它采用低功耗、高精度、低噪声MEMS芯片，具有 BIMOS 信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有低功耗、高可靠性和高封装坚固性，并具自检测（Self-Test）等功能，可实现自检测。

本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。

二、原理

FH413A05三轴加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面 MEMS 多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转，从而产生电压输出信号。

三、技术条件

性能	FH413A性能
	Ax ，Ay ，Az
测量范围（ g）	±2	±4	±5	± 10	±20	±40
灵敏度（mV/g）	1000±50	500±50	400±30	200±20	100±10	50±5
带宽（10%，Hz）	0～500
零 g 偏置电压（V）	2.5±0.05
满量程输出（V）	0.5-4.5
零偏温度变化（mg/ °C）	±0.2~ ±0.8
交叉轴影响（%）	≤2
非线性度(％F.S)	≤0.1
噪声密度（ug/ √Hz）	20~80
供电要求
供电电压(VDC)	12±0.5
输入电流（mA）	≤20
工作环境