详细摘要： 领泰半导体 LT1506SJ N沟道功率MOS管/场效应管MOSFET封装： SOT23-3L产品参数：V DS = 20 VI D = 7.5 A
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-10-29 在线留言通信电缆 网络设备 无线通信 云计算|大数据 显示设备 存储设备 网络辅助设备 信号传输处理 多媒体设备 广播系统 智慧城市管理系统 其它智慧基建产品
深圳市芯美力科技有限公司
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详细摘要： 领泰半导体 LT1506SJ N沟道功率MOS管/场效应管MOSFET封装： SOT23-3L产品参数：V DS = 20 VI D = 7.5 A
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详细摘要： 领泰半导体 LT7446FL N沟道增强功率MOS管场效应管封装：PDFN3*3-8L产品参数：VDS= 30VID= 40ARDS(ON)@VS= 10V, ...
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详细摘要： 领泰半导体LT4419FL P沟道功率MOS管 场效应管 封装： PDFN3X3-8L 产品参数：V DS = -30 VI D =-29 A
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详细摘要： 领泰半导体LT6354SJP沟道功率MOS管 场效应管封装:SOT23-3L基本参数：V DS = -60VI D = -2.3 A
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详细摘要： 领泰半导体 LT6428FJ N沟道功率MOS管 场效应管 封装： PDFN5X6-8L产品参数：V DS =30 VI D =59 A
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详细摘要： 领泰半导体LT1517ESIN沟道功率MOS管 场效应管封装SOT-23基本参数：V DS = 20VI D = 6.5 A
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-10-22 在线留言
详细摘要： 型号： LT1516SI封装： SOT23类型：N沟道功率MOS管/场效应管MOSFET产品参数：V DS = 60 VI D = 3 AR DS(ON) @V...
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-09-12 在线留言您感兴趣的产品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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