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产品简介

K4B4G1646E 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片
IC编号K4B4G1646E-BCNB
厂牌SAMSUNG/三星
IC 类别DDR3 SDRAM
IC代码256MX16 DDR3
脚位/封装FBGA
外包装TRAY
无铅/环保无铅/环保
电压（伏）1.5 V
温度规格Commercial （0°C – 95°C）

详细介绍

K4B4G1646E 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片

IC编号	K4B4G1646E-BCNB
厂牌	SAMSUNG/三星
IC 类别	DDR3 SDRAM
IC代码	256MX16 DDR3
脚位/封装	FBGA
外包装	TRAY
无铅/环保	无铅/环保
电压(伏)	1.5 V
温度规格	Commercial (0°C – 95°C)
速度	DDR3-2133 (1067MHz @ CL=14, tRCD=14,tRP=14)
标准包装数量	1120
标准外箱
潜在应用	INDUSTRIAL COMPUTER/PC DIGITAL BOARD/工业电脑/ PC数位板
	SMART TV/MONITOR/TFT/LCD TV-MAKER/顯示器/智能電視製造商
	UNKNOWN/未定义
Number Of Words	256M
Density	4G
Power	Normal Power
Internal Banks	8 Banks
Generation	6th Generation

深圳市宏大实业有限公司，是国内专业集成电路供应链专家，公司成立于2016年，团队核心在国内外原厂、代理商都担任过重要职位. 公司专注物联网、音视频、车载、智能家电、工业通讯领域市场，在深圳、上海均设有研发团队，服务国内外客户超过500多家，其中上市公司和准上市公司超过20家。目前代理分销产品线有索尼、松下、OV、思特威、晶像、MSTAR、海思、华邦、旺宏、三星、海力士、村田、TI、ADI、ST、移远、仙童、赛灵思，GD、国巨、旺诠、Realtek SK hynix/海力士等多达30多家国内外半导体公司，可以为客户提供研发-供应链-生产服务的优质服务，期待和您共同成长！

K4B4G1646E 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片

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