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深圳市中图仪器科技有限公司
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在晶圆制造时,黄光站将Wafer光刻、曝光显影后会进行套刻的偏移量测量,将测量的数据反向导入补偿至光刻机内,优化晶圆光刻工艺稳定性以达到客户对产品的需求。 |
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在Wafer制造时,多道工序会对Die的关键外形尺寸进行把控,SuperView软件自动捕捉Die特征边缘,同时进行高效精准测量,帮助客户在更短的时间内,达到更高的良率,维持良率的稳定性。 |
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Wafer制造时,前道黄光工序后需要测量芯粒下底槽间的宽度来确定各芯粒间的偏移量是否合格,自动选取多条抛线得到稳定平均值,从而调整曝光机参数以达到工艺要求。 |
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重建晶圆的局部3D图像,根据提供的线宽尺寸和刻蚀深度,提取刻线的剖面轮廓进行分析,可判断线槽轮廓的完整性和进行底部缺陷的观察。 |
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在划片工艺的镭射工序后,进行镭射U型槽的槽深度和宽度检测,可自定义剖面宽度取剖面轮廓的均值曲线,求取槽深宽的平均值,根据测出的槽深和槽宽,调整镭射机的参数以便符合工艺要求。 |
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