【中国安防展览网 企业关注】据Semi Engineering网站报导，GlobalFoundries、三星(Samsung)、台积电(TSMC)和联电(UMC)计划在2017年稍晚开始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此举代表市场的巨大转变，因为到目前为止，只有Everspin已经为各种应用提供MRAM，例如电池供电的SRAM替代品、读写缓存(Write Cache)等。
STT-MRAM的下一个大好机会就是嵌入式存储器IP市场，NOR Flash是传统嵌入式存储器，随着制程从40nm进展到28nm，NOR Flash已经出现各种各样的问题，因此，这些代工厂的支持可以将STT-MRAM转变为先进节点的替代技术。
GlobalFoundries嵌入式存储器副总裁Dave Eggleston表示，嵌入式快闪存储器将继续作为资料保存技术主流，特别是汽车和安全应用领域，嵌入式快闪存储器将会有很长的使用寿命，但没有扩展空间，当达到28nm制程以上时，嵌入式快闪存储器实际上会成为昂贵的选择。
因此，业界需要一个新的解决方案，STT-MRAM恰好为2xnm及以上的嵌入式存储器应用做好准备。先作为补充技术，进一步替代嵌入式DRAM和SRAM，也是MRAM的巨大机会，将为处理器添加持久性功能。
无论如何，MRAM可能会因为几个因素，成为一个大市场或利基解决方案，包括多个供应商和一系列的应用推动STT-MRAM发展，此外，主要代工厂投入STT-MRAM也可能会推动规模经济化，降低技术成本。
随着更多业者进入MRAM市场，STT执行长BarryHoberman在日前受访时谈到了MRAM带来的商机及其可能取代现有主流存储器技术的未来前景。
或许有人会把2016年形容为磁阻式随机存取存储器(MRAM)市场的引爆点。而在那之前，EverspinTechnologies是一家出货商用MRAM产品的公司。不过，就像SpinTransferTechnologies(STT)执行长BarryHoberman一如既往地表达肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM业者铺路。
STT的公司历史早可追溯到2001年——一项初由美国纽约大学(NewYorkUniversity)教授AndrewKent主导的研究中所开发的技术。到了2007年，总部位于波士顿的多元控股公司AlliedMinds正式成立了STT并开始营运。2016年9月，这家开发出正交自旋转移MRAM技术(OST-MRAM)的美国业者宣布，在其加州费利蒙(Fremont)公司总部的自家研发晶圆厂，成功制作出小至20nm的垂直MRAM磁穿隧接面(pMTJ)，预计在2018年让产品正式上市。
从那时起，STT已经为北美和亚洲的客户提供其OST-MRAM样片了，这可说是一个重要的里程碑，因为它是几种新兴存储器中被视为可能取代动态随机存取存储器(DRAM)与NAND快闪存储器(flash)的下一代候选技术之一；特别是随着业界持续迈向更先进的制程节点，DRAM与NANDflash正面对微缩带来的挑战。STT是少数几家开发MRAM的公司之一，因此，如今开始出样芯片可说是验证MRAM整体性能以及STT技术的重要时机。
《EETimes》有幸与STT执行长BarryHoberman谈到了该公司近来的快速成长，以及随着更多业者进入MRAM市场带来的商机，包括MRAM可能接班主流存储器技术的未来前景。
目前客户对于你们提供的样片反应如何？
我们已经出样新芯片给广泛的客户了，他们都是足以评价这种存储器类型的大型现有业者，具有高度的可信度。我们在这次产品出样周期的目标是产生完整的存储器，能够满足稳健可靠的评测。我们很高兴能有机会流通这些样片，让客户在测试后都回来找我们，告诉我们说这款产品的功能齐全，符合所有提供的规格，而且找不到任何错误。这为我们在推进下一次与客户接触的机会开启了大门，客户现在都确实地认识了我们是一家拥有第三代pMTJ基础技术的公司，也肯定我们制作可用存储器的专业技术。
开发商用MRAM的挑战与其他新兴存储器有何不同？
了解MTJ技术的真正重要之处在于他们已经用于硬盘的读取头超过10年以上了，具有经验证的生产和可靠性等功能。每年约有30~40亿颗硬盘读取头中都包含了MTJ元件。
而与MRAM有关的问题在于了解如何将MTJ整合于CMOS制程、如何使MTJ的性能特征兼容于存储器，以及如何扩展MTJ的制造产能，达到每个存储器芯片中约10亿的数量级，而不只是每个硬盘读取头中使用1个MTJ元件；这些是目前主要的三项挑战。这和相变存储器、电阻式RAM和纳米线等其他新式存储器技术有很大的不同——毕竟，这些新式存储器技术的物理特性是全新的，尚未经任何一种制造技术验证，也没有现行的产业生态系统可支持。
您将Everspin等竞争对手称为追踪MRAM的。那么，当您推动自家技术进展时，如何看待竞争对手的成就？
这是对于整个生态系统所建立的一种信心，包括对于投资人、客户，以及设备供应商等。
您认为MRAM存在哪些机会？
我们知道目前有四家代工厂都在其开发蓝图中规划了第三代基于pMJT的MRAM技术，并预计在2018年的下半年进入量产，，并在那之后相应地加快速度。MRAM目前处于锁定三大技术的早期阶段：其一是作为非挥发性存储器(NVM)领域的替代方案，特别是嵌入式NORflash。此外，它还可以作为传统CMOS高速嵌入式静态随机存取存储器(SRAM)的替代技术。我认为这项技术更适于在此领域实现差异化。第三是作为DRAM的替代技术。目前DRAM市场成长开始趋缓，未来可能会由特别有利于储存应用的持久特性主导市场成长。
至今许多采用MRAM的场合都离不开储存应用。是否还有其他细分市场存在新应用的例子？
在手机中有几个地方需要超过200Mb的静态存储器，而当你尝试使用SRAM时，就会发现那真的是在烧钱。降低静态存储器的成本看来势在必行，再者，因为它用在行动装置中，所以对于功耗也十分敏感。40nm以下的传统解决方案由于漏电流之故而经常耗用较大电源。如今，以MRAM取代SRAM几乎可完全排除漏电流的问题。
此外，为使用中的资料提供保护方面也是一大挑战。许多应用都需要高频宽，高速资料经由系统传送的同时，也进入其储存的位置。在资料顺利传送到安全可靠的终存放位置以前，如果发生了危及资料的故障情况会很麻烦，这正是MRAM得以发挥作用之处。
如何更普遍地使用快闪存储器，从而为MRAM创造机会？
我们可以在固态硬盘(SSD)中将储存区划分为大小不同的储存容量。较大的储存容量具有flash的时间特性，亦即所谓的微秒级NVM；较小的储存容量则采用高速、持久型的存储器技术，也就是纳米级NVM。当你将这两种技术混合于同一系统时，必须考虑成本而适度地进分划分，以便能在每秒输出入次数(IOPS)方面取得更高的性能提升，甚至较传统基于flash的SSD更高一个数量级。
物联网(IoT)正着手打造利用现有存储器技术的各种新方法，以解决诸如功耗等问题，同时要求相对较低的密度。MRAM如何在此发挥作用？
如果你直接比较一下其他着眼于物联网的替代方案，例如相变存储器和电阻式RAM，以及快闪存储器，这些技术根本没有足够的耐久性可用于执行像记录资料等任务，特别是有些资料记录功能采用了较小型的电池。
除了代工厂的承诺之外，您如何看未来12~18个月的MRAM发展前景？
让这项技术投入生产产线的家主要代工厂，以及真正的开始出货，即将在业界刮起一阵旋风。半导体产业真的必须牢牢记住，过去四十多年来的技术主力一直是SRAM、DRAM和flash及其技术。而这将是大量生产的重要大事。目前已经有了一些利基技术，如铁电随机存取存储器(FRAM)与电子抹除式可复写唯读存储器(EEPROM)，但也都因其利基特性而受限。
然而，当你导入了MRAM，其特点就在于它是在这40到50年间真正进入存储器架构的件大事。仅就这一点来看它就具有相当巨大的发展潜力了。
原标题 MRAM接班主流存储器指日可待
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