走存储器国产化战略 坚持下去才有希望

　　【中国安防展览网 企业关注】国家重点推进存储器产业的发展不仅是因为其处于集成电路产业的核心地位，更是基于信息安全的考量，唯有在存储器、CPU等核心芯片领域具备自主可控能力，才能确保国防及信息安全。目前国内的存储器国产化具备一定的产业基础，国家存储器战略有望落地！

　　
　　归纳起来，目前存储器有三个方面的力量正在聚集，一个是政府主导的武汉新芯，它们与中科院微电子所等合作，据说己经有9层3DNAND样品。另一个是紫光，它的策略是先通过兼并，站在一定高度之后再自行研发。后一个是两个地方政府，福建与合肥，它们试图寻找技术伙伴，或者挖技术团队后再前进。其中如福建投资在泉州的晋华集成电路，它由联电开发DRAM相关制程技术，产品将是32纳米制程的利基型DRAM，未来技术将授权给晋华，同时联电也可以保有研发成果。
　　
　　依目前的态势由于做的产品不同，有3DNAND，利基型DRAM，DRAM及NAND，采用的路径不同，以及合作对象也不一样，正如同“百花齐放”，因此都有一定的可能，但又都不太确定。然而依照中国的囯力与条件又不可能支持得起那么多条存储器生产线，所以未来可能还要等2-3年时间的观察，结果才会更加明朗。个人不成熟的看法由于武汉新芯是依靠自行研发为主，尽管这条道可能慢些，暂时技术方面落后，但是能有属于自己的东西，它的未来至少国家一定会支持到底，相对有成功的可能与希望。
　　
　　近期又传来紫光可能与新芯合作的方案，对于双方可能都是个理性的选择。但是要与美光合作变成中国版的“华亚科”模式有些担忧。因为此种跟随型模式，尽管看似省心省事，但是中方缺乏自主能力，另外担心美光会采取不同的技术转移策略，让中国处于低端，因此要慎之又慎。如果未来由英特尔，三星，海力士，台积电，联电，GF及力晶等独资以及“穿马甲”的公司来主导中国的芯片制造业，对于如中芯，华力微等企业的成长并非有利。因此要全面正确的认清当前形势，从道理上如中芯等企业应该加快研发步伐，在逆境中迅速崛起。
　　
　　分析3DNAND闪存芯片制造基本上要过两道难关，一个是过技术关。不管是32层，48层要能做出来，这一步为重要，而且性能与成本上的差距不能太悬殊：另一个是准备迎接IP及价格战，当中国真正做出产品后是无法避免的。
　　
　　由于存储器投资巨大，在具体操作方面既要有足够信心，同时要慎之又慎。据SEMI报道，3DNAND生产线，每1000片的投资需55-65M美元，如若月产能200000片，需要130亿美元，而且要计及之后每3年左右要作技术升级的投资。
　　
　　另据2010年12月资料，介绍3D闪存制作工艺(由于制造工艺各家都十分保密，因此本文中提到的方法也不可能完整)；3DNAND技术在产品生产上都采用一体成形制造法。所谓一体成形制造法是在层NAND薄膜生长后，使用光罩及刻蚀，随后连续成长8层薄膜及刻蚀之后，后便只需一道光罩，总计需要27张光罩。该方法在2007年由东芝提出，其Bit Costscalable(BiCS)TFTSONOS便是采用这种技术。目前，三星(Samsung)的TACT、VSAT；东芝的P-BiCS和3DVG，都属于一体成形3D内存技术，可大幅降低生产成本。
　　
　　坚持下去才有成功希望
　　
　　目前业界的心态是能迅速上马，希望的能有技术合作伙伴呈现，甚至更有人期望通过兼并，一下子跃升至该有的高度。实际上的结果是至此无人响应，存储器厂商集体的“袖手旁观”。
　　
　　其实这样的结果是意料之中，并非是坏事，至少断了想依赖有人能邦助我们的念想。因为即便有人能与中国进行技术合作，等于上了别人设计的轨道，谁也明白先进的技术不可能给中国，而沿着别人轨道走会更难受，等于束缚了自已的手脚。
　　
　　3DNAND闪存在竞争的态势是工艺制程水平20-40纳米，在成熟工艺范围。除了三星己达256Gb，48层之外，其它对手们几乎都在追赶。随着CVD工艺淀积层数的增多，困难在于高深宽比的付蚀，目前看到在64层时，要达到60：1及70：1的付蚀已经很难。所以这个球己踢给设备供应商，它们要获得订单必须要为客户解决难关。而据来自半导体设备厂的消息，未来128层尚有希望。这样在对手之间的差异性并不很大，因此我们尚有一线成功的希望。
　　
　　不管如何，现阶段的自行研发一定要加紧突破，32层及48层都是前进中的关键点，而且一定要把研发与量产结合在一起，改变之前两者脱节的弊病。同时要充分利用好设备制造商，它们手中握有许多关键工艺技术，在提供设备的同时与我们分享。
　　
　　未来它们对付中国的方法可能是首先打IP战，控制技术与人材流失，以及后一招是打价格战，让中国的企业在财务方面无法承受。因此现阶段对手们是集体的“袖手旁观”，等着看中国出错，好是让我们知难而退。
　　
　　对于中国存储器芯片制造项目，一定是场艰难的仗。预计无论是3DNAND闪存，或者是利基型DRAM，首先中国要解决的是从无到有的问题，相信是完全可能的，然而由于采用技术的不同，以及制造成本方面的显著差异，未来可能的痛点是在面临巨额亏损下不动摇，不气馁，只有坚持下去才有成功的希望。在此点上需要决策层面早有充分的预案与准备。
　　
　　引用麦肯锡亚太区半导体咨询业务负责人唐睿思说，“我一直在强调一个重点，就是要有长期的耐心资本，需等待很长时间才能见效，不是一夜之间就有大突破而更多的是逐年会有进步，执行力更好、有更多业务……在半导体行业成功是没有捷径的！”
　　
　　“投资没耐心是制约中国半导体发展的重要因素。很多投资人或企业想要三五年就获得回报，很难实现。半导体制造行业投资成功在中国可能需要十年左右的时间”。