40G电光强度调制器
基于M-Z推挽结构的LiNbO3电光强度调制器具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，且器件具有较高的响应速率，因而被广泛的应用于高速光通信系统、光调Q系统、微波光子链路和光纤传感等领域。
l 低插入损耗
l 高调制带宽
l 调制速率可达40Gbit/s
l 低半波电压
l 独立偏置电极
l 符合ecordia GR-468-CORE要求
l 激光锁模
l光纤传感系统
l 高速光通信系统
l 测试系统
40G电光强度调制器性能参数 |
参数 | 符号 | zui小值 | 典型值 | zui大值 | 单位 | 光学参数 | 工作波长 | l | 1525 | | 1565 | nm | 插入损耗 | IL | | 3.5 | 4 | dB | 光回波损耗 | ORL | | | -45 | dB | 开关消光比@DC | ER@DC | 20 | | | dB | 动态消光比 | DER | | 13 | | dB | 光纤 | 输入端 | | Panda PM Fujikura SM 15-P-8/125-UV/UV-400 | 输出端 | | Corning SMF-28 | 光纤接口 | | FC/PC、FC/APC或用户 | 电学参数 | 工作带宽（-3dB） | S21 | 25 | 32 | | GHz | 半波电压Vpi | RF | Vπ@50KHz | | 4.5 | | V | Bias | Vπ@Bias | | | 5 | V | 电回波损耗 | S11 | | -12 | -10 | dB | 输入阻抗 | RF | ZRF | 50 | W | Bias | ZBIAS | 1M | W | 电接口 | | V(f) |
极限条件 |
参 数 | 符号 | 单 位 | zui小值 | 典型值 | zui大值 | 输入光功率 | Pin,Max | dBm | | | 20 | RF端输入功率 | | dBm | | | 28 | Bias端偏置电压 | Vbias | V | -20 | | 20 | 工作温度 | Top | ºC | -10 | | 60 | 储存温度 | Tst | ºC | -40 | | 85 | 湿度 | RH | % | 5 | | 90 |
|
