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铌酸锂Q开关

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具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称北京飞凯曼科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       号LiNb
  • 所  在  地北京市
  • 厂商性质代理商
  • 更新时间2017/6/16 7:54:33
  • 访问次数579
产品标签:

铌酸锂Q开关

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北京飞凯曼科技有限公司为多家国内外高科技仪器厂家在中国地区*代理。飞凯曼科技公司一贯秉承『诚信』、『品质』、『服务』、『创新』的企业文化,为广大中国用户提供*的仪器、设备,Z周到的技术、服务和*的整体解决方案。在科技日新月异、国力飞速发展的中国,光电技术、材料科学、半导体薄膜薄膜生长和加工技术、表面材料物性分析、生物药物开发、有机高分子合成等等领域,都需要与欧美发达国家*接轨的仪器设备平台来实现。飞凯曼科技公司有幸成长在这个科技创造未来的年代,我们愿意化为一座桥梁,见证中国科技水平的提升,与中国科技共同飞速成长。
 

主要产品:
1. 晶圆探针台、平板式样品探针台、Mini腔探针台、四探针台、环境可控型四探针台、高低温(变温)探针台、霍尔效应测试仪、变温霍尔效应测试仪、塞贝克效应测试仪
2. 在线表面缺陷检测系统、片状物在线表面缺陷检测系统、片状物离线表面缺陷检测系统、智能型视频表面检测系统、自动化印刷检测系统
3. 日本AET公司微波介电常数测试仪
4. 在线粘度计、便携式在线粘度计、高温粘度计
5. 高纯镀膜材料:混合晶体膜料、高纯晶体膜料Ti3O5

6.DPSS、近红外激光汽、绿光激光器、蓝光激光器、紫外光激光器、半导体激光器、波长稳定的半导体激光器、单频半导体激光器、光纤耦合半导体激光器、光纤激光器、波长可调谐单频激光器、激光谐振腔设计软件

7 体全息光栅(VHG)、脉冲展宽器、脉冲压缩器、脉冲抑制器、陷波滤波器、ASE抑制滤波器、合束器、多线滤波器、相位掩模版、VHG-FAC、激光稳频元件、氟化钙(CaF2)晶体、Er:YAG晶体、Nd:YAG晶体、Yb:YAG晶体、Ho:YAG晶体、Tm:YAG晶体、铌酸锂晶体(LibO3)、掺铒玻璃、磁旋光玻璃

8.真空镀膜和加工系统,包括:PECVD、LPCVD、磁控溅射沉积系统、热阻蒸发镀膜系统、电子束蒸发镀膜系统、离子束溅射镀膜系统、反应离子刻蚀系统、离子束刻蚀系统

9.日本UNIOPT公司双折射测量系统、光弹性模量测试系统、应力测试系统、磁光克尔效应(MOKE)测试仪

10.日本APCO公司精密自动划片机、贴膜机、清洗机、揭膜机

11.研磨抛光机

霍尔效应测试仪,变温霍尔效应测试仪,单频激光器,双折射测量系统,精密划片机,自动划片机,半自动划片机,激光谐振腔设计软件,塞贝克效应测试仪、光弹性模量测试仪、YAG晶体、氟化钙晶体、铒玻璃,磁旋光玻璃
北京飞凯曼公司提供铌酸锂Q开关。光学级铌酸锂(LN)晶体拥有较好的电光性能,非线性系数大,光学均匀性好,机械及化学性能稳定,不潮解等优点。用LN制作横向调制电光Q开关,具有半波电压低,重复频率高,常被应用于Er:YAG、Ho:YAG、Tm:YAG、Nd:YAG等作为工作物质的激光器中,尤其在激光测距领域发挥着重要的作用。
铌酸锂Q开关 产品信息

北京飞凯曼公司提供铌酸锂Q开关。光学级铌酸锂(LN)晶体拥有较好的电光性能,非线性系数大,光学均匀性好,机械及化学性能稳定,不潮解等优点。用LN制作横向调制电光Q开关,具有半波电压低,重复频率高,常被应用于Er:YAG、Ho:YAG、Tm:YAG、Nd:YAG等作为工作物质的激光器中,尤其在激光测距领域发挥着重要的作用。

在激光器中安装LN晶体时,由于LN Q开关元件性能对于角度非常敏感,必须采用一定封装结构加以可靠固定,以满足激光器光路调节、抗冲击和引出电极的需要。电光晶体的工作电压一般在几千伏左右。采用传统的安装方法,LN晶体直接与电极连接,在外接电极与晶体之间需要加一定压力以便实现良好的电接触。由于外接电极与晶体间的接触近似为刚性接触,所以安装时如果晶体上产生的夹持应力过大,会在LN晶体内部产生较大的应力双折射,导致电光开关工作性能下降,而且晶体甚至有被压碎的可能。另外,由于电光晶体工作电压在几千伏左右,如果绝缘不好,将产生漏电现象,造成电光开关无法使用,甚至危害其它设备。

本公司深入分析LN的特性,推出紧凑型、低装配应力LN Q开关。

一、产品特点:

1.采用钛合金和环氧酚醛树脂实现金属电极一体化封装,负极为安装基座,使用调节方便快捷;

2.体积紧凑,适于激光器的小型化;

3.直接安装于激光器内,不需要其他安装模具如电极板等配件,*消除了安装应力,确保激光器*工作稳定可靠。

二、性能

晶体尺寸

7*7*28

光学孔径

7*7mm2

有效通光孔径

6*6mm2

定轴精度

3

平面度

λ/8@ 633nm

透过畸变

λ/4@ 633nm

平行度

 20

光洁度

2

镀膜

1064nm增透膜,整体透过率T>98 %

半波电压

2500V   λ/2   @1064nm

损伤阈值

150 MW/cm2  1064nm 10ns 10Hz

插入损耗

3%

消光比

 200:1  @633nm

电容:

 5pF

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