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LITHOSCALE 无掩模光刻机 曝光系统

参考价面议
具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称岱美仪器技术服务(上海)有限公司
  • 品       牌
  • 型       号
  • 所  在  地上海
  • 厂商性质其他
  • 更新时间2026/7/7 12:29:08
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??岱美有限公司成立于1989年,是数据存储,半导体,光学,光伏和航空航天行业制造商和创新研发机构的*设备分销商。??在21世纪初期,岱美已从我们在中国香港的总部扩展到亚洲,以满足客户的多样化需求。在当今化的市场中,我们的客户包括连接东南亚各国的综合供应链,我们的专业人员随时准备与他们会面。??我们的总部设在中国香港,在中国大陆地区(北京和上海,以及广东东莞)拥有*的业务。我们还在马来西亚,新加坡,中国台湾地区,菲律宾和泰国等东南亚国 家和地区设有分支机构。岱美拥有训练有素的工程师,能够为各地区用户提供快捷、可靠的技术支持和维修服务;为确保他们的专业知识得以更新及并适应新的要求,岱美定期委派工程师前往海外接受专项技术训练,务求为顾客提供更高质素的售后服务及技术支持。我们的分支机构都已建立数十年,我们的许多客户对我们与他们建立的长达数十年的合作关系感到满意。??我们的目标是建立持久的关系,满足东南亚企业快速增长的需求。对于我们的客户,我们不仅提供设备,还提供建议和技术指导,以及时了解我们不断发展的行业的发展。对于我们的供应商,我们提供了深入的销售网络和数十年的东南亚复杂商业环境导航经验。我们将本地客户与来自欧洲,美国,日本和韩国的*设备与技术连接起来。岱美合作客户??岱美在中国大陆地区主要销售或提供技术支持的产品:??晶圆键合机、纳米压印设备、紫外光刻机、涂胶显影机、硅片清洗机、超薄晶圆处理设备、光学三维轮廓仪、硅穿孔TSV量测、非接触式光学三坐标测量仪、薄膜厚度检测仪、主动及被动式防震台系统、应力检测仪、电容式位移传感器等。??如有需要,请联系我们,了解我们如何开始与您之间的合作,实现您的企业或者组织机构长期发展的目标。注:在大陆地区注册的公司名称为:岱美仪器技术服务(上海)有限公司,并有东莞分公司和北京办事处。
1.简介 LITHOSCALE无掩模光刻机系统是一个革命性的,高度灵活的无掩模光刻曝光平台面向容纳晶片可达300毫米的各种微细加工应用
LITHOSCALE 无掩模光刻机 曝光系统 产品信息

1. 简介

LITHOSCALE 无掩模光刻机系统是一个革命性的,高度灵活的无掩模光刻曝光平台面向容纳晶片可达300毫米的各种微细加工应用。

LITHOSCALE无掩模光刻曝光系统采用了EV GroupMLE™无掩模曝光技术通过结合的数字处理功能来解决传统瓶颈,该功能可实现实时数据传输和即时曝光,高结构分辨率和吞吐量可伸缩性。它的无掩模曝光方法消除了与掩模相关的消耗品,而曝光系统及其可调谐固态激光源则具有高冗余度和较长的使用寿命稳定性,并具有独特的自动校准功能,可蕞大程度地减少维护工作。的实时数字处理功能可将设计文件立即暴露于基材,从而避免了每种数字掩模版图的转换时间。LITHOSCALE具有高分辨率(<2µm L / S),动态裸片级可寻址整个基板表面的曝光,可实现灵活的无耗材处理和低成本(CoO)。LITHOSCALE系统利用具有可见和红外功能的专用物镜以及专有的卡盘设计集成了完整晶圆的顶部和背面对准,可容纳蕞大300 mm的晶圆。该系统具有自动对准的动态对准模式,以适应基板材料和表面变化。精细控制焦点水平位置的能力可保持侧壁陡峭以及抗蚀剂的所需3D轮廓,同时防止边缘打底和打底。大的工作距离和自动自适应对焦功能可确保整个曝光表面的图案均匀性。它还具有个性化的裸片处理能力,而快速的全场定位和动态对准则可为各种尺寸和形状的基板提供高度可扩展性。

2. 特征

1) 晶圆/基板尺寸蕞大为300毫米/ 12英寸

2) 分辨能力<2 µm L / S

3) 配备具有膏端衍射极限光学元件的MLE技术

4) 375 nm/405 nm波长的曝光光谱;用户可以定义为单一,宽带或任何种类的波长混合

5) 定期监控和自动校准的固态光源可确保其长期的稳定性和高冗余度

6) 的对准模式支持顶部和底部VISIR对准功能

7) 聚焦控制深度(DoF<24 µm

8) 自适应自动对焦控制(AF<100 µm

9) 经现场验证的高精度对准平台,嵌入高科技机电和校准传感器,可确保整个系统的稳定性

10) 的软件功能包括:

动态模具级注释

的失真补偿

通过每个晶片的主机/灵活的掩模文件传输和配方执行

布局转换功能

备用格式文件支持:GerberODB ++OASIS

11) 自动非接触式楔形补偿程序

12) 可扩展的解决方案,可在一个系统中满足研发和大批量制造(HVM)的需求,而不会增加占地面积

13) 无耗材技术

MLE无掩模光刻技术

图1 MLE 无掩模光刻曝光技术

3. 技术数据

1) 图案的蕞小特征尺寸:CD≤2 µm

2) 对齐方式:

顶部对齐:≤±0.5 µm

底部侧面对准:≤±1.0 µm

红外对准:≤±1.0 µm / 取决于基板材料

3) 曝光光谱(单,宽带或任何种类的混合):375 + 405纳米

4) 晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米

5) 楔形补偿:非接触式

6) 焦点:

焦点深度[DoF]24 µm

自动对焦[AF]100 µm

7) 动态对齐方式[DAM]

全领域一致

多点对准

8) LITHOSCALE功能

每个主机通过主机/灵活的数字掩模文件传输和配方执行

动态注释功能

自动对焦功能

的失真功能

布局转换功能

Gerber文件格式支持

ODB ++文件格式支持

OASIS文件格式支持

9) 工业自动化功能

盒式磁带

FOUP

SECS / GEM

10) 系统控制

作业系统:Windows

文件共享和备份解决方案/无限制 配方和参数

灵活的流程定义

简易的拖放配方编程

并行处理多个作业

多语言用户GUI和支持:CNDEFRITJPKR

实时远程访问,诊断和故障排除

11) 智能过程控制和数据分析功能-Framework Software Platform

用于过程和机器控制的集成分析功能

并行任务/排队任务处理功能

设备和过程性能根踪功能

智能处理功能

发生和警报分析

智能维护管理和根踪

MLE无掩模光刻技术

图2 MLE无掩模光刻示意图

关键词:传感器
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