薄膜热电参数测试系统产品特点
专门针对薄膜材料的Seebeck系数和电阻率测量。
测试环境温度范围达到81K~700K。
采用动态法测量Seebeck系数，避免了静态测量在温差测量上的系统误差，测量更准确。
采用四线法测量电阻率。
热电偶探针经过严格的筛选配对保证测试结果的准确和稳定。
软件操作简单，智能化可实现全自动模式。
薄膜热电参数测试系统测试实例
标准镍带测试结果
东华大学MoS2测试结果
MRS-3对Bi2Te3薄膜测试结果（电工研究所提供样品）
MRS-3对Bi2Te3薄膜测试结果（电工研究所提供样品）
薄膜热电参数测试系统技术参数
| 型号 | MRS-3 | MRS-3RT | |
| 环境温度 | 81K~700K | RT | |
| 温控方式 | PID程序控制 | / | |
| 真空度 | ≤ 1Pa | / | |
| 测试气氛 | 真空 | 空气 | |
| 测量范围 | 泽贝克系数：S ≥ 8µV/K； 电阻率：0.1µΩ•m ~ 1000KµΩ•m | ||
| 分辨率 | 泽贝克系数：0.05µV/K； 电阻率：0.05µΩ•m | ||
| 相对误差 | 泽贝克系数 ≤ 7%，电阻率 ≤ 5% | ||
| 测量模式 | 自动 | ||
| 样品尺寸 | 长 x 宽:(10~18)x(4~14)mm2,薄膜厚度≥50nm | ||
| 主机尺寸 | 采集箱：470x400x140，单位mm | 170x250x220，单位mm | |
| 重量 | 31.9kg | 3.5kg | |
薄膜热电参数测试系统样品要求
样品满足上述样品尺寸，待测面需平整，薄膜均匀性好，保证与铜片接触良好
薄膜材料厚度可至100nm，其均匀性有较高要求，薄膜厚度达到微米级别较好
薄膜材料的衬底需选择电阻率较大或绝缘材料为宜，如玻璃、Si等材料
薄膜热电参数测试系统技术原理
动态法：测量Seebeck系数
在待测温场下给样品两端加一个连续变化的微小温差，通过记录样品两端温差和热电势的变化，然后将温差和热电势拟合成一条直线，直线斜率即为该材料在该温场下的Seebeck系数。
采用四线法测量电阻率。
