AFM校准标样

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公司名称上海纳腾仪器有限公司
品牌
型号多种
所在地上海
厂商性质其他
更新时间2025/5/12 11:43:18
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上海纳腾仪器有限公司是一家专注于为微纳米科学领域提供综合性解决方案，为

全国各大高校、科研院所及企事业单位提供*的微纳米科学仪器。

目前上海纳腾已成为国内少数几家专业提供微纳米科学仪器的企业，在微纳加工仪器，微纳表征仪器，微纳仪器耗材，微纳加工测试等相关领域，拥有一支经验丰富、技术过硬的团队。能够出色地完成售中、售后的服务。

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AFM校准标样产品信息

型号	规格
TGZ系列Z向校准标样，TGZ1/TGZ2/TGZ3/TGZ4/TGS1，Z轴校准及非线性校准 Si 基底，结构在SiO2层周期：3±0.1 µm，尺寸：5x5x0.5 mm，有效区域：中心：3x3 mm 可选配：PTB可溯源证书
TGZ1	20.0±1.5 nm（Height）
TGZ2	110±2 nm（Height）
TGZ3	520±3 nm（Height）
TGZ4	1517± 20nm（Height）
TGT1：SPM针尖3-D校准标样NT-MDT，针尖形状，曲率半径校准，降解/污染检测 Si 基底周期：3±0.05 µm，尺寸：5x5x0.5 mm，有效区域：中心：2x2mm
TGT1	尺寸：角度：50+-10°,半径：<=10nm，高度：0.3-0.5µm
TGG1：SPM X，Y方向校准标样 SPM X、Y方向校准，扫描器横向垂直方向非线性检测，角度畸变检测，针尖表征 Si 基底周期：3±0.05 µm，尺寸：5x5x0.5 mm，有效区域：中心：3x3mm
TGG1	1-D 三角台阶标样，精确的线性，角度边缘角度70°，边缘半径：≤10nm
TGX1：SPM横向校准，针尖高长径比扫描器横向检测横向非线性、滞后、蠕变和交叉耦合效应的检测针尖长径比标定 Si 基底周期：3±0.05 µm，尺寸：5x5x0.5 mm，有效区域：中心：3x3mm
TGX1	棋盘状的方柱阵列，具有锋利的咬边高度：～0.6 µm，边缘半径：≤10nm
TipCheck SPM针尖形状校准标样，Budgetsensors，针尖形状，曲率半径校准，降解/污染检测尺寸：5x5x0.3 mm，有效区域：中心：5x5mm
TipCheck	Tipcheck金字塔纳米结构 50-100nm高度，50-100nm底部宽度最小边缘：≤5nm
SHS系列台阶标样：SHS系列台阶标样 Si 基底，多种结构复合：圆、长条、方形基底尺寸：8.0x8.2x0.5 mm
SHS-01	结构材质：SiO2，高度：100nm
SHS-1	结构材质：SiO2，高度：1000nm
STEP-OX-0.1	结构材质：SiO2，镀层材质：Cr，高度：100nm
STEP-OX-0.2	结构材质：SiO2，镀层材质：Cr，高度：100nm
STEP-OX-0.5	结构材质：SiO2，镀层材质：Cr，高度：500nm
STEP-OX-1	结构材质：SiO2，镀层材质：Cr，高度：1000nm
STEP-Si-5	结构材质：Si，高度：5000nm
STEP-Si-10	结构材质：Si，高度：10000nm
STEP-Si-25	结构材质：Si，高度：25000nm
PA01 SPM针尖形状校准标样，针尖形状，曲率半径校准，降解/污染检测尺寸：5x5x0.3 mm，有效区域：中心：5x5mm
PA01	PA 01金字塔纳米结构 50-100nm高度，50-100nm底部宽度最小边缘：≤5nm
TGF11 SPM扫描器垂直方向非线性检测扫描器垂直方向非线性检测,横向力校准，带小球硅针尖悬臂校准尺寸：5x5x0.3 mm，有效区域：中心：3x3mm
TGF11	TGF11梯形结构，54.74° 高度：1.75µm，周期：10±0.1 µm
HS-MG系列标样，HS-20MG/HS-100MG/HS-500MG，Z轴校准及非线性校准及垂直横向扫描器校准 Si 基底，结构在SiO2层，不同结构阵列，周期：5&10µm，尺寸：5x5 mm 圆柱/孔：500 µm x500 µm，线条： 500 µm x500 µm，方柱/孔：1 x1mm
HS-20MG	20 nm（Height）
HS-100MG	100 nm（Height）
HS-500MG	500 nm（Height）
CS-20NG系列标样，Z轴校准及非线性校准及垂直横向扫描器校准 Si 基底，结构在SiO2层，不同结构阵列，尺寸：5x5 mm 圆柱/孔：（500nm pitch）100 µm x100 µm，线条：(5 µm pitch) 500 µm x500 µm，方柱/孔：(10µm pitch)1 x1mm
CS-20MG	20 nm（Height）
TGX：SPM横向校准，针尖高长径比，扫描器横向检测，横向非线性、滞后、蠕变和交叉耦合效应的检测 Si 基底，不同结构阵列，尺寸：5x5 x0.3 mm，边缘半径：≤5nm，周期3±0.1 µm
TGX	1µm（Height）
TGXYZ系列标样：SPM Z轴校准及非线性校准及垂直横向扫描器校准 Si 基底，结构在SiO2层，不同结构阵列，尺寸：5x5x0.3 mm 圆柱/孔：500 µm x500 µm，线条：500 µm x500 µm，方柱/孔：1 x1mm
TGXYZ01	20.0±2 nm（Height）
TGXYZ02	100±3 nm（Height）
TGXYZ03	500±3 nm（Height）
TDG01：X、Y方向校准，扫描器横向垂直方向非线性检测，角度畸变检测，针尖表征 Si 基底，镀Al，平行脊，尺寸：12.5mm直径，厚度：2.5mm，有效区域：9mm直径
TGX	>55nm（Height）