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700V单芯片LED恒流控制器

参考价面议
具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称深圳市英诺信科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       号
  • 所  在  地深圳市
  • 厂商性质其他
  • 更新时间2025/4/8 10:31:05
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深圳市英诺信科技有限公司(简称英诺信科技)是一家专业服务电子制造行业的综合性服务公司。公司专注于测试测量仪器、电子器件及塑胶原料等三大领域。 在测试测量仪器领域,英诺信科技与美国安捷伦(Agilent)、美国福禄克(Fluke) 、美国泰克(Tektronix) 、德国罗德与施瓦茨(R&S)、英国牛津(Oxford)、日本菊水(Kikusui)、日本岛津(Shimadzu),日本横河(Yokogawa),中国台湾中茂(Chroma)等数十家国际仪器制造商在中国区有着广泛的合作,目前已成为国内较大的仪器经销商,系统集成商和综合服务商之一。 在电子器件领域,英诺信科技作为美国泰科(TE)连接器在深圳的主要分销商之一,在多年的发展中积累了大量的案例和经验,能够给客户提供迅速、*、专业的服务。我们为汽车、数据传输系统、消费类电子、通信和企业网络、航空航天、防卫与船舶、医疗、能源及照明等各行各业的逾2万名客户设计、制造和销售约50万种产品。 同时,英诺信科技也是一家专业的塑胶原料贸易商,代理品牌德国拜耳、韩国锦湖的产品,同时经营日本帝人、旭化成、东丽、三菱、美国杜邦等世界各。经营品种包括PA(尼龙),PBT(聚对苯二甲酸丁二酯), POM(聚甲醛),PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯),PC(聚碳酸酯),以及LCP(液晶聚合物)等全系列塑胶原料。 位于改革开放前沿深圳的公司总部,拥有一支由年轻、富有活力和具备敬业乐业精神的高素质专业人才队伍组成的团队,凭借专业的行业背景,致力于为企业和客户提供快速的专业解决方案。
特点集成700V功率MOS
700V单芯片LED恒流控制器 产品信息
  • 特点

  • 集成700V功率MOS,外围器件极少
  • 无需辅助绕组
  • 启动时间小于100ms,实现LED灯“即开即亮”
  • 恒流精度:+/-5%
  • 内置AC线输入电压恒流补偿
  • 内置“智能热响应抑制”保护
  • 150uA超低芯片工作电流
  • 功率5W
  • 管脚浮空保护
  • LED 短路/开路保护
  • PFM 控制带来优异的EMI性能
  • 逐周期电流限制,内置前沿消隐
  • VDD UVLO(欠电压保护)
  • VDD 过压钳位
  • 3脚的TO-92封装形式

概述

U6122 是一个低成本、高恒流精度、原边反馈 (PSR, Primary Side Regulation) 控制的隔离式AC/DC LED恒流功率开关,适用于LED照明领域。在全电压范围内实现高精度的恒流输出,恒流精度在+/-5%以内。

U6122无需供电辅助绕组,同时集成了功率MOSFET,大大降低了系统成本。U6122内置高压启动技术,在全电压范围内启动时间小于100毫秒,实现了LED灯的即开即亮功能;U6122偿,从而大大提高LED输出电流的精度和一致性。

U6122同时集成了诸多保护功能,包括VDD欠压保护,VDD 过压钳位保护,LED短路/开路保护,芯片过热保护,逐周期电流限制,管脚浮空保护等等。

极限参数


参数 参数范围 单位
芯片电源电压 7 V
芯片VDD钳位电流 10 mA
内部功率管的漏极 -0.3 to 650 V
封装热阻 (TO-92) 83 °C/W
结温 150 °C
工作温度范围 -40 to 85 °C
储存温度范围 -65 to 150 °C
ESD 人体模型 2 kV


推荐的工作条件


参数 参数范围 单位
环境工作温度范围 -40 to 85 °C
功率 5 W

电学参数
无特别说明情况下TA = 25°C
符号 参数 测试条件 最小 典型 单位
芯片电源部分 (VDD管脚)
I_VDD 静态电流 VDD=6.1V 150 250 uA
VDD_reg VDD供电压 5.8 6.1 V
UVLO(OFF) VDD 欠压保护 5.3 V
VDD_Clamp VDD 钳位电压 I(VDD ) = 10 mA 6.3 V
反馈输入部分
Tmin_OFF 最小关断时间 2
uS
TCC/TDEM 恒流模式下消磁时间与开关周期时间的比值 2
Tdem_ovp 开路检测参考消磁时间 5.5 uS
T_off_max 消磁时间 250 uS
保护
Tdem_ovp 开路过压检测消磁时间参考值 5.5 uS
T_f 智能热相应降频温度 155 °C
电流检测部分
T_blanking CS 前沿消隐时间 500 nS
Vth_OC 逐周期电流限制的阈值 490 500 510 mV
TD_OC 芯片关断延迟 100 nS
D_max 占空比 50 %
内部功率管部分
BVdss 内部功率管击穿电压 650 750 V
Rdson 功率管导通阻抗 V(Drain)=50mA 30 40
Idss 功率管关断漏电流 10 uA

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