上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 40, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.
KRI 射频离子源 RFICP 40 属于大面积射频离子源, 离子束流: >100 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量 (Typical flow): 3-10 sccm.
采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.
离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.
适用于集成在小型的真空腔体内.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 40 特性:
1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.
3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性
KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:
离子源型号 | RFICP 40 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >100 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 4 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 3-10 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 12.7 cm |
直径 | 13.5 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
伯东KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域：
1. 预清洗
2. 表面改性
3. 辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
4. 溅镀和蒸发镀膜 PC
5. 离子溅射沉积和多层结构 IBSD
6. 离子蚀刻 IBE
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生
