等离子体增强化学气相沉积
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - PECVD
Deplab 200 PECVD 是SENTECH开发的高性价比直接载片式平行板电极等离子体增强化学气相沉积系统。
主要技术特点
● 高性价比：Depolab 200 等离子体增强化学气相沉积设备将平行板等离子体源设计与直接载片相结合。
● 升级扩展性：Depolab 200 等离子体增强化学气相沉积设备采用模块化设计，可升级更大的真空泵组，低频射频源和更多的气路。
● 控制软件：强大的用户友好软件包括模拟图形用户界面、参数窗口、工艺菜单编辑窗口、数据记录和用户管理。
● Depolab 200 是 SENTECH 开发的基本科研型等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备，它结合了用于均匀薄膜沉积的平行板电极设计和直接载片的腔体设计，具有高性价比的优点。从 2″ 至 8″ 晶片和样品的标准应用开始，可逐步升级以完成复杂的工艺。
● Depolab 200 的显著特点是系统的可靠设计，软件和硬件的灵活性。在该设备上开发了不同的工艺，例如用于高质量氮化硅和氧化硅层的沉积。PECVD Depolab 200 包括带气路柜的反应腔体，电子控制，计算机、前级泵和配电箱。
● Depolab 200 等离子增强沉积设备用于在从室温到 400℃ 的温度范围内沉积 SiO2、SiNx、SiONx 和 α-Si 薄膜。Depolab 200 特别适用于沉积用于刻蚀掩膜，电隔离膜及其他的介质膜。
● Depolab 200 由 SENTECH 的控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。
等离子体增强化学气相沉积设备 - Depolab 200
● 干泵组
● 开盖载片
● 占地面积小
● 可选低频射频降低应力
● 衬底温度可高达 400 °C
● 适用于大到 200mm 的晶片
● 等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备
