氮化铝陶瓷基片晶体
氮化铝陶瓷基片(AlN)
AlN陶瓷基片是陶瓷基片，具有很高的热导率（理论值为319W/m.K，商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k）、较低的介电常数（8.8）和介电损耗（～4×104）、以及和硅相配比的热膨胀系数（4.4×10－4/℃）等特点，化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。
氮化铝陶瓷基片，热导率高，电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高，，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，性，是取代BeO陶瓷的材料，是的大规模集成电路散热基板和封装材料。
主要应用于：高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做基片材料和封装材料，应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。
产品特点
高导热性
热膨胀系数跟Si接近
的性能
较低介电常数和介质损耗
AlN(氮化铝)陶瓷基片主要性能指标 | |
性能内容 | 性能指标 |
体积密度 (g/cm3) | 3.335 |
抗热震性 | 无裂纹、炸裂 |
热导率 (30℃, W/m.k) | ≥170 |
膨胀系数 (/℃, 5℃/min, 20-300℃) | 2.805×10-6 |
抗强度 (MPa) | 382.7 |
体积电阻率(Ω.cm) | 1.4×1014 |
介电常数(1MHz) | 8.56 |
化学稳定性 (mg/cm2) | 0.97 |
击穿强度 (KV/mm) | 18.45 |
表面粗糙度(μm) | 0.3~0.5 |
翘曲度(length‰) | ≤2‰ |
外观/颜色 | 致密、细晶/ 暗灰色 |
纯度:99%
颜色:灰白色
尺寸:100x100x1.0mm以内或者根据客户的要求切割
毛坯,单双抛
表面粗糙度: < 10nm(抛光)
供应产品目录：
| 硒化钨晶体（硫掺杂）（99.995%） WSSe | WSSe Crystals |
| 二硒化钨钯晶体（99.995%） PdSe2 | PdSe2 Crystals |
| 硒化铟晶体（99.995%） InSe | InSe Crystals |
| 二硒化钨晶体（99.995%） WSe2 | (Tungsten Diselenide)-N型 |
| 二硒化钼晶体（99.995%） 2H-MoSe2 | (Molybdenum Diselenide)-N型 |
| 三硒化锆晶体（99.995%） ZrSe3 | (Zirconium Triselenide) |
| 硒化锆 ZrSe3 | (Zirconium Triselenide) |
| 硒化金 AuSe | (alpha phase Gold Selenide) |
| 二硒化锆晶体（99.995%） | ZrSe2 (Zirconium Selenide) |
| 二硒化钨晶体（99.995%） | WSe2(Tungsten Diselenide)-P型 |
| 二硒化钒晶体（99.995%） | VSe2 (Vanadium Diselenide) |
| 二硒化钛晶体（99.995%） | 1T-TiSe2(Titanium Selenide) |
| 二硒化钽晶体（99.995%） | 2H-TaSe2 (Tantalum Selenide) |
| 二硒化锡晶体（99.995%） | SnSe2 (Tin Selenide) |
| 二硒化铼晶体（99.995%） | ReSe2(Rhenium Selenide) |
| 二硒化铂晶体（99.995%） | PtSe2 (Platinum Selenide) |
| 二硒化铌晶体（99.995%） | 2H-NbSe2(Niobium Selenide) |
| 硒化钨钼晶体（99.995%） | MoWSe2(Molybdenum Tungsten Diselenide) |
温馨提示：西安齐岳生物供应产品用于科研，不能用于人体
yyp2021.6.24
氮化铝陶瓷基片晶体
