齐岳定制合成MoS2/ZnS二硫化钼复合材料
化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD），是获得大面积单层MoS2的手段之一。采用CVD方法生长单层MoS2，常用的衬底是表面覆盖有均匀厚度SiO2层的Si衬底。由于SiO2表面存在大量的悬挂键和陷阱态，将会对MoS2进行电学掺杂——这在低维材料中尤为。具有类似石墨层状结构，被誉为“白色石墨”的六方氮化硼（h-BN），表面电荷态较少，具有化学惰性，且与MoS2晶格失配较小（约为1.4%）。在现有为数不多的关于以h-BN为衬底合成MoS2的相关科学报道之中，h-BN材料一般是通过低产量的机械剥离法获得，作为CVD方法的生长源来合成获取。h-BN衬底上合成的单层MoS2，其光致荧光（PL）信号的现象曾被报道，但关于该现象的物理机制的研究没有明确的结论。
齐岳定制合成MoS2/ZnS二硫化钼复合材料
西安齐岳生物科技有限公司有自己的有机合成实验室，可以自主生产合成无机纳米材料，我们可以合成从零维/一维/二维/三维四个分类来提供几十个产品分类和几千种纳米材料，以及他们的氧化物或碳化物及复合定制材料等等，我公司自产的产品纯化纯度98%+以上并可以提供液相图谱来佐证纯度，并且提供相关指导服务。
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