二硫化钼晶体 二维材料
摘要：自半导体晶体管至今,硅基场效应晶体管的尺寸不断减小,带来器件速度与集成度的.硅基器件在90nm节点之后面临的挑战越来越多,新材料新工艺的使用才满足器件在过去十几年依然能延续其尺寸不断减小的需求.以摩尔定律为指导的半导体产业已经进入了亚10nm节点.根据半导体器件线路图(The International Technology Roadmap for Semiconductors,ITRS)提供的亚7nm半导体器件互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)显示,后硅时代的新沟道材料成为延续摩尔定律的重要手段.理论计算表明减薄沟道厚度是器件尺寸继续减小的基础.基于材料量子效应,传统的三维体材料很难将厚度降5nm以下.而二维半导体材料其本征低于1nm的薄体厚度使得其在未来器件应用中展现出了潜力
二硫化钼晶体 二维材料
西安齐岳生物科技有限公司可以提供以下二维晶体材料：HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体>10平方毫米、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体；我们提供的产品用于科研，不能，也提供二维晶体粉末材料.
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