FQA28N50: 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，28.4 A，160 mΩ ，TO-
3P
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此*技术特别适用于降低导通电阻，提供开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。
- 28.4 A、500 V、RDS(on) = 160 mΩ（ VGS = 10 V、ID = 14.2 A）
- 低栅极电荷（典型值 110 nC)
- 低 Crss（典型值 60 pF)
- * 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
保护IC：
移动电源IC：
驱动IC：
音频功放IC：
触摸IC:
稳压IC：
MOS管：
三极管：
二极管：IN4001-IN4007/M1-M7系列、1N4148、
1N5817-1N5819/SS12-SS56系列、
1N5400系列、SF10-30系列、
SR10-50系列、RS1A-RS3M系列
US1A-US3M系列、ES1A-ES3J系列
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