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补水仪30V8A贴片MOS管SOT23-3 小体积大电流

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具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称东莞市惠海半导体有限公司
  • 品       牌
  • 型       号HC3600M
  • 所  在  地东莞市
  • 厂商性质生产厂家
  • 更新时间2019/2/12 17:23:03
  • 访问次数311
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  东莞市惠海半导体有限公司 经销批发的中低压mos、降压恒压芯片、降压恒流芯片、降压恒压恒流芯片、主营LED汽车灯市场、LED电动车灯市场、LED摩托车灯市场、电动车GPS定位器市场、POE交换机市场及升压恒压芯片消费者市场,在消费者当中享有较高的地位,公司与多家零售商和代理商建立了*稳定的合作关系。东莞市惠海半导体有限公司经销的中低压mos、降压恒压芯片、降压恒流芯片、降压恒压恒流芯片、升压恒压芯片品种齐全、价格合理。东莞市惠海半导体有限公司实力雄厚,重信用、守合同、保证产品质量,以多品种经营特色和薄利多销的原则,赢得了广大客户的信任。东莞市惠海半导体有限公司(hxc-power)从成立初期代理其他公司的产品的同时就投入大量资金蓄力于电源管理芯片的研发设计,专注于LED、汽摩电子、中低压mos等领域产品,公司有国内*电源工程师及芯片设计工程师,具有丰富的电子产品研发经验,可充分配合客户需要提供方案。公司始终和LED和电源行业内的优秀公司和优秀人才合作交流,熟悉市场应用的每个细节及客户的切身需求,产品一直保持。公司专注于中低压DCDC照明产品及中低压DCDC电源转换的应用探索,成功开发多款性能*的DCDC恒流恒压芯片,产品涵盖升压恒流、升压恒压、降压恒流、降压恒压、降压恒流恒压、升降压恒流、线性恒流,并在汽车照明、电动车照明等领域占据较大的*。
 

  中低压MOS管使用国内外*的沟槽工艺,比较同等8寸片晶圆具有更多的颗粒数更好的性能,确保了产品性能也降低了产品的终端成本。产品涵盖150V系列、120V系列、100V系列、60V系列等。
 

  我们一直保持与国内*的晶圆厂、封装厂及测试厂合作,对产品品质精益求精,力把品质关。为客户提供的不仅仅是*的产品,还有优秀的解决方案和优质的服务,相信客户会成为我们的伙伴并一起取得商业成功。本公司常年备有大量的现货库存,并接受订货服务。
 

  东莞市惠海半导体一直致力于建设高标准的芯片设计队伍、高标准的产品应用队伍、高标准的销售队伍,保持产品的不断创新,力争为客户带来具有竞争力的产品。为创造一个更绿地球而努力,为今天更为明天,惠海与您一起努力!

电源模块,集成电路,半导体芯片
补水仪30V8A贴片MOS管SOT23-3 小体积大电流
N沟道场效应管,内阻22mR,超低结电容445pF, 封装:贴片(SOT23-3),低开启电压1.5V,超低结电容,低内阻,超低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强
补水仪30V8A贴片MOS管SOT23-3 小体积大电流 产品信息

由于产品种类繁多,价格无法一一叙述,只作形式上标价,不作双方买卖价格,如有需要请与我们的销售沟通,以销售终报价为准,给您带来不便之处敬请谅解,谢谢!!!
HC3600M  一盘3000,*,货源充足,量大价格更实惠
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深圳惠海半导体有限公司【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *,质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购,超低内阻,结电容超小,采用沟槽工艺,性能*,
东莞市惠海半导体有限公司专业20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售
 
 
型号:HC3600M参数:30V8A ,类型:N沟道场效应管,内阻22mR,超低结电容445pF,  封装:贴片(SOT23-3),低开启电压1.5V,超低结电容,低内阻,超低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强

补水仪30V8A贴片MOS管SOT23-3 小体积大电流

补水仪30V8A贴片MOS管SOT23-3 小体积大电流


更多型号如下:
型号:HC160N10L    N沟道场效应管 100V10A(10N10)  TO-252封装,可用于雾化器、车灯电源等
型号:HC080N10L    N沟道场效应管  100V17A(17N10)TO-252封装,可用于加湿器、车灯电源等
型号:HC021N10L    N沟道场效应管    100V35A (35N10)TO-252封装
型号:HC080N10LS  N沟道场效应管   100V15A SOP-8封装
型号:HC15N10       N沟道场效应管   100V15A(15N10)TO-252封装,可用于加湿器、车灯电源等
型号:HC012N06L    N沟道场效应管   60V50A(50N06 )TO-252封装,汽车灯电源、电机驱动、控制器等
型号:HC012N06LS  N沟道场效应管 55V50A  SOP-8封装
型号:HC037N06L    N沟道场效应管  60V30A(30N06)TO-252封装,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
型号:HC037N06LS  N沟道场效应管  60V30A     SOP-8封装
型号:HC080N06L    N沟道场效应管  60V15A 15N06 TO-252封装
型号:HC080N06LS    N沟道场效应管  60V6A     SOT23-3封封装
型号:HC080N06LSS    N沟道场效应管  60V10A  SOP-8封装
型号:HC020N03L    N沟道场效应管  30V30A TO-252
型号:HC3600M       N沟道场效应管  30V8A       SOT23-3封装
型号:HC3400M       N沟道场效应管  30V5.8A    SOT23-3封装
 
型号太多,无法一一列出来,具体可以上惠海半导体网看或者来电,给您带来不便敬请谅解,谢谢


 
东莞市惠海半导体有限公司
惠海半导体专业中低压MOS管行业10年,经验丰富,实力雄厚,惠海,可以做月结30天,惠海半导体是您值得信赖合作的实力中低压MOS场效应管供应商
我们的优势:*,价格优势,货源充足,*
 

一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求:

开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。

驱动电路结构简单可靠、损耗小。

根据情况施加隔离。

场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。

场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。

场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。

 

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