Pt/Ti/SiO2/Si Au/Cr/Si外延薄膜
通过磁控溅射方法在硅片镀膜,制备Pt/Ti/SiO2/Si Au/Cr/Si基片
主要性能参数 | ||
| Pt/Ti/SiO2/Si | Au/Cr/Si |
制备方法: | 磁控溅射 | 磁控溅射 |
导电类型 | P型 掺B,N型掺P | P型掺B, N型掺P |
膜厚 : | Pt:150nm;过渡层Ti:20nm ; SiO2: 500nm | Au,40~100nm,过渡层Cr,20nm |
硅片晶向 | <100>或者<111> | <100>或者<111> |
常规尺寸: | Dia4";Dia2";10mm*10mm ;10mm*5mm | Dia2";10mm*10mm ;10mm*5mm |
供应产品目录:
SnSe2 二硒化锡晶体 | (Tin diselenide) |
Bi2Se3 硒化铋晶体-未掺杂 | (Undoped Bismuth Selenide) |
三硒化锰(磷掺杂)晶体(99.995%) MnPSe3 | MnPSe3 Crystals |
硒化钨晶体(硫掺杂)(99.995%) WSSe | WSSe Crystals |
二硒化钨钯晶体(99.995%) PdSe2 | PdSe2 Crystals |
硒化铟晶体(99.995%) InSe | InSe Crystals |
二硒化钨晶体(99.995%) WSe2 | (Tungsten Diselenide)-N型 |
二硒化钼晶体(99.995%) 2H-MoSe2 | (Molybdenum Diselenide)-N型 |
三硒化锆晶体(99.995%) ZrSe3 | (Zirconium Triselenide) |
硒化锆 ZrSe3 | (Zirconium Triselenide) |
硒化金 AuSe | (alpha phase Gold Selenide) |
二硒化锆晶体(99.995%) | ZrSe2 (Zirconium Selenide) |
二硒化钨晶体(99.995%) | WSe2(Tungsten Diselenide)-P型 |
二硒化钒晶体(99.995%) | VSe2 (Vanadium Diselenide) |
二硒化钛晶体(99.995%) | 1T-TiSe2(Titanium Selenide) |
二硒化钽晶体(99.995%) | 2H-TaSe2 (Tantalum Selenide) |
二硒化锡晶体(99.995%) | SnSe2 (Tin Selenide) |
二硒化铼晶体(99.995%) | ReSe2(Rhenium Selenide) |
二硒化铂晶体(99.995%) | PtSe2 (Platinum Selenide) |
温馨提示:西安齐岳生物供应产品用于科研,不能用于人体
yyp2021.6.24
Pt/Ti/SiO2/Si Au/Cr/Si外延薄膜