2021年03月24日 10:06西安齐岳生物科技有限公司点击量:1353
氮化硅薄膜的制备方法(Si3N4)
1.物相沉积(PVD)法
磁控反应溅射(Magnetron Sputting〉法、离子束沉积(IBED)法
2.化学气相沉积(CVD)法
热化学气相沉积(HCVD)法、光化学气相沉积(PCVD)法
除此之外,还有常压热化学气相沉积(APTCVD)法、快热化学气相沉积(RTCVD)法、电子回旋共振CVD (ECRCVD)、催化CVD法(Cat-CVD)、混合激发CVD法(HECVD)等等。
3.直接氮化法
NH3高温氮化、等离子体氮化、离子束氮化、激光辅助氮化
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齐岳供应产品:
氮化硅/碳纤维/环氧树脂导热复合材料(SiN/CF/EP) |
多层与单层纳米管(MWCNTs、SWCNTs |
BAS/Si3N4复合材料 |
SiAlON陶瓷 |
BAS/SiC复合材料 |
Si3N4/BAS陶瓷复合材料 |
SiC(w)/SiN复合材料 |
Si3N4-Al2O3-Y2O3-MgO复合物 |
碳化硅/氮化硅/聚丙烯复合材料 |
Si3N4/SiC/PP复合材料 |
碳纳米管-氮化硅改性聚丙烯复合材料 |
Si3N4-BN氮化硅-氮化硼系复合材料 |
α-Si3N4(w)/RBSN复合材料 |
β-SiC(w)/RBSN复合材料 |
β-Si3N4(w)/Si3N4复合材料 |
β-SiC(w)/Si3N4复合材料 |
金属镍-氮化硅陶瓷复合材料 |
硅硼氧氮纤维/氮化硅陶瓷复合材料 |
硅@氮化硅@碳核壳结构复合材料 |
Si@Si3N4@C核壳结构复合材料 |
碳包覆氮化碳/硅-氮化硅/二氧化硅复合材料 |
导电氮化钛/氮化硅纳米复合材料 |
氮化硅/氮化钛纳米复合材料 |
亚微米级硅颗粒/氮化硅/碳复合材料 |
氮化硅/聚对苯二甲酸酯纳米复合材料 |
Ni金属膜覆盖Si3N4衬底生长浓度可控石墨烯材料 |
CrN/Si3N4纳米多层膜 |
Si3N4衬底表面上的纳米级Au薄膜 |
硅衬底上制备了si3N4薄膜 |
锑化铟衬底上生长Si3N4和SiO2双层介质膜 |
硅衬底上直接合成了Si3N4/SiO2同轴纳米线 |
不同基底偏压条件下CrN/Si3N4纳米多层膜 |
蓝宝石和硅衬底上氮化硅(Si3N4)薄膜 |
蓝宝石衬底上Si3N4膜 |
Si3N4衬底上TST薄膜 |
Si的纳米颗粒在Si3N4/Si(111)和Si3N4/Si(100)表面生长薄膜 |
Si3N4/Si衬底上淀积55nm氧化钒薄膜 |
Al的Si3N4纳米线 |
石英玻璃衬底上沉积平凸形Si3N4球面介质膜 |
Si3N4衬底上制备V2O5/V/V2O5复合薄膜 |
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