结构类型
自上世纪九十年代以来，LED芯片及材料制作技术的研发取得多项突破，透明衬底梯形结构、纹理表面结构、芯片倒装结构，商品化的超高亮度(1cd以上)红、橙、黄、绿、蓝的LED产品相继问市，2000年开始在低、中光通量的特殊照明中获得应用。LED的上、中游产业受到的重视，进一步推动下游的封装技术及产业发展，采用不同封装结构形式与尺寸，不同发光颜色的管芯及其双色、或三色组合方式，可生产出多种系列，品种、规格的产品。
LED产品封装结构的类型如表2所示，也有根据发光颜色、芯片材料、发光亮度、尺寸大小等情况特征来分类的。单个管芯一般构成点光源，多个管芯组装一般可构成面光源和线光源，作信息、状态指示及显示用，发光显示器也是用多个管芯，通过管芯的适当连接(包括串联和并联)与合适的光学结构组合而成的，构成发光显示器的发光段和发光点。表面贴装LED可逐渐替代引脚式LED，应用设计更灵活，已在LED显示市场中占有一定的份额，有加速发展趋势。固体照明光源有部分产品上市，成为今后LED的中、长期发展方向。
目前，LED光电产业还是一个新兴产业，涉及到芯片制造技术、封装技术、散热技术、二次配光技术、智能控制技术等多个技术领域。它具有耗电量少、寿命长、无污染、色彩丰富、耐震动、可控性强等特点。
随着科学技术的发展，LED的亮度有了较大的提高，LED芯片的价格也在逐渐降低。由于PC-LED（色转换型发光二级管）的发光效率逐年增加，目前Cree报道其实验室数据已超过231lm/w。LED芯片衬底的价格在LED芯片的占有很大的比重，现阶段主要是蓝宝石衬底，其价格相对较高。
普瑞光电公司于2011年3月宣布，他们已经成功实现了的基于硅衬底的LED制造技术研发成果。该技术主要使用成本较低的硅来取代目前使用的更昂贵的制造材料。该公司相关负责人表示，135lm/W的氮化镓硅衬底GaN-on-Silicon生产技术代表了行业界*个商业级硅衬底LED技术的突破。
国外LED产业技术的发展状况
作为欧洲传统照明*的飞利浦和欧司朗于2000年前投入巨资开始了LED照明基础技术的研究，其中欧司朗在白光LED用荧光材料方面一直具有优势。而飞利浦（Philips）则携其资本的强大优势，在LED应用领域首先收购美国Lumileds公司及其他具有技术优势的方案公司，取得其多项核心技术。
美国以Cree为代表在LED方面有多项技术，其中代表的是SiC衬底技术，SiC衬底与GaN材料的晶格适配度只有3.5%，而现阶段其他厂商用的蓝宝石衬底与GaN材料的晶格适配度高达17%。不仅如此，SiC衬底具有良好的导热性和导电性，故不采用Al2O3-GaN-LED的倒装焊技术就可以解决散热问题，而是采用上下电极的结构。但是SiC衬底的缺点就是价格比较昂贵，且难以制备。
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