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石墨烯目前是世上zui薄却也是zui坚硬的纳米材料 ，为世上电阻率zui小的材料。因为它的电阻率极低，电子迁移的速度极快，因此被期待可用来发展出更薄、导电速度更快的新一代电子元件或晶体管。由于石墨烯实质上是一种透明、良好的导体，也适合用来制造透明触控屏幕、光板、甚至是太阳能电池。所以越来越多的厂家开始研究和生产石墨烯。
上海IKN也响应这个新兴产业的号召，随之研发出石墨烯高剪切研磨分散机，在生产石墨烯的过程中，如何将石墨更好的细化，以及细化后团聚问题的解决，成为的zui大的难点。
石墨烯浆料分为两种，以水为介质分散叫水性，以NMP为介质分散叫油性，石墨烯根据石墨烯原料的不同，一般含量在2.5-5的固含量之间打成浆料，影响石墨烯分散或者剥离的因素有很多，设备的选型，分散剂的使用，固含量的把握
石墨烯主要制备方法：
制备石墨烯常见的方法为机械剥离法、氧化还原法、SiC外延生长法和化学气相沉积法（CVD）。
IKN石墨烯研磨设备采用德国先x的高速研磨分散技术，通过超高转速（可达14000rpm）带动超高精密的磨头定转子（通常配CM+8SF，定转子间隙在0.2-0.3之间）使石墨烯浆料在设备的高线速度下形成湍流，在定转子间隙里不断的撞击、破碎、研磨、分散、均质，从而得出超细的颗粒（当然也需要合适的分散剂做助剂）。综合以上几点可以得出理想的导电石墨烯浆料。
水性石墨烯浆料生产设备
在做纳米粉体分散或研磨时，因为粉体尺度由大变小的过程中，范德华力及布朗运动现象逐渐明显且重要。选择适当助剂以避免粉体再次凝聚及选择适当的研磨机来控制研磨浆料温度以降低或避免布朗运动影响，是湿法研磨分散方法能否成功地得到纳米级粉体研磨及分散关键技术。
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1.机械剥离法是利用物体与石墨烯之间的摩擦和相对运动，得到石墨烯薄层材料的方法。这种方法操作简单，得到的石墨烯通常保持着完整的晶体结构，但是得到的片层小，生产效率低。
2.氧化还原法是通过将石墨氧化，增大石墨层之间的间距，再通过物理方法将其分离，***后通过化学法还原，得到石墨烯的方法。这种方法操作简单，产量高，目前国内使用氧化，还原法制作石墨烯浆料的，如：宁波墨
稀、东莞鸿纳、第六元素等企业，
3.SiC外延法是通过在超高真空的高温环境下，使硅原子升华脱离材料，剩下的C原子通过自组形式重构，从而得到基于SiC衬底的石墨烯。这种方法可以获得高质量的石墨烯，但是这种方法对设备要求较高
4.CVD也叫气相沉积法是目前***有可能实现工业化制备高质量、大面积石墨烯的方法。这种方法制备的石墨烯具有面积大和质量高的特点，国内用气相沉积法制作石墨烯浆料的如 重庆墨稀、常州第六元素等企业
CMD2000系列研磨分散机的结构：研磨式分散机是由锥体磨,分散机组合而成的高科技产品。
*级由具有精细度递升的三级锯齿突起和凹槽。定子可以无限制的被调整到所需要的与转子之间的距离。在增强的流体湍流下，凹槽在每级都可以改变方向。
第二级由转定子组成。分散头的设计也很好地满足不同粘度的物质以及颗粒粒径的需要。
CMD2000系列设备选型表
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型号 | 流量
L/H | 转速
rpm | 线速度
m/s | 功率
kw | 入/出口连接
DN |
CMD2000/4 | 300 | 9000 | 23 | 2.2 | DN25/DN15 |
CMD2000/5 | 1000 | 6000 | 23 | 7.5 | DN40/DN32 |
CMD2000/10 | 2000 | 4200 | 23 | 22 | DN80/DN65 |
CMD2000/20 | 5000 | 2850 | 23 | 37 | DN80/DN65 |
CMD2000/30 | 8000 | 1420 | 23 | 55 | DN150/DN125 |
CMD2000/50 | 15000 | 1100 | 23 | 11O | DN200/DN150 |
流量取决于设置的间隙和被处理物料的特性，同时流量可以被调节到***大允许量的10%。
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