功率半导体器件性能
1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用“超级结”（Super-Junction）结构，故又称超结功率 MOSFET。工作电压600V～800V，通态电阻几乎降低了一个数量级，仍保持开关速度快的特点，是一种有发展前途的高频功率半导体电子器件。
IGBT刚出现时，电压、电流额定值只有600V、2。很长一段时间内，耐压水平限于1200V～1700V，经过长时间的探索研究和改进，现 在 IGBT的电压、电流额定值已分别达到3300V/1200A和4500V/1800A，高压IGBT单片耐压已达到6500V，一般IGBT的工作频率上限为20kHz～40kHz，基于穿通（PT）型结构应用新技术制造的IGBT，可工作于150kHz（硬开关）和300kHz（软开关）。
IGBT的技术进展实际上是通态压降，快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同，IGBT在20年历史发展进程中，有以下几种类型：穿通（PT）型、非穿通（NPT）型、软穿通（SPT）型、沟漕型和电场截止（FS）型。
碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带宽、工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、 PN结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导体电子元器件。
可以预见，碳化硅将是21世纪zui可能成功应用的新型功率半导体器件材料。
