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IGBT、MOS、二极管雪崩耐量测试设备

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产品型号ENX-2020

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厂商性质生产商

所在地西安市

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更新时间：2024-05-22 07:04:22浏览次数：60次

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西安谊邦电子科技有限公司

经营模式：生产厂家

商铺产品：29条

所在地区：陕西西安市

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产品简介

ENX2020IGBT、MOS、二极管雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备，能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。

详细介绍

IGBT、MOS、二极管雪崩耐量测试设备是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备，能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。

ENX2020 雪崩耐量测试系统，该设备包括：可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口（根据客户需求）等多个部分。

IGBT、MOS、二极管雪崩耐量测试设备技术指标

配置	测试范围	测试参数	条件	范围
电压 1000V	IGBTs 绝缘栅双极型晶体管	EAS/单脉冲雪崩能量	VCE	20V-4500V	20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V
电流 200A	MOSFETs MOS场效应管	EAR/重复脉冲雪崩能量	Ic	1mA-200A	1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA
	DIODEs 二极管	IAS/单脉冲雪崩电流	Ea	1J-2000J	1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J
		PAS/单脉冲雪崩功率	IC检测	50mV/A（取决于传感器）
			感性负载	10mH、20mH、40mH、80mH、100mH
			重复间隙时间	1-60s可调（步进1s）重复次数：1-50次