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上海德竹芯源科技有限公司
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SI 500 基于 ICP 等离子体源 PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的的 SENTECH 控制软件和用于操作 SI 500 的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是 SI 500 主要的设计特点。
电感耦合等离子体刻蚀设备
Inductively Coupuled Plasma Reactive Ion Etching - ICPRIE
SI 500 基于 ICP 等离子体源 PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的的 SETECH 控制软件和用于操作 SI 500 的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是 SI 500 主要的设计特点。可用于加工各种各样的衬底，从直径高达 200 mm 的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，且切换工艺非常容易。通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不于例如三五族化合物半导体 (GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物 (SiC, SiGe)，还有金属等。 SENTECH 提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP 等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。
设备主要特点：
● 自主研发的ICP等离子源：三螺旋平行板天线 (PTSA) 等离子源是 SENTECH 等离子体工艺设备的属性。PTSA 源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。
● 高速刻蚀：对于具有高深宽比的高速硅基 MEMS 刻蚀，光滑的侧壁可通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。
● 低损伤刻蚀：由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用等离子体刻蚀机 SI 500 进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。
● 动态温度控制：在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的 ICP 衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在 -150°C 至 +400°C 的广泛温度范围内提供优良的工艺条件。
应用展示：
SI 500
● ICP 等离子刻蚀机
● 带预真空室
● 适用于 200 mm 的晶片
● 衬底温度从 -20 °C 到 300 °C
SI 500 C
● 等温 ICP 等离子刻蚀机
● 带传送腔和预真空室
● 衬底温度从 -150 °C 到 400 °C
SI 500 RIE
● RIE 等离子刻蚀机
● 背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案
● 电容耦合等离子体源，可升级成 ICP 等离子体源 PTSA
SI 500-300
● ICP 等离子刻蚀机
● 带预真空室
● 适用于 300 mm 晶片
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