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上海德竹芯源科技有限公司


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Quantes 双扫描XPS探针

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产品型号Quantes

品       牌

厂商性质其他

所  在  地上海

更新时间:2023-09-13 09:37:19浏览次数:134次

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经营模式:其他

商铺产品:157条

所在地区:上海上海

产品简介

PHI Quantes 双扫描 XPS 探针是以 Quantera II 系统为基础,进行技术升级后得到的新版本。PHI Quantes 的主要特点,是拥有同焦 Al Ka 和 Cr Ka 的双扫描X射线源;相比常规的 Al Ka X射线源,能量高达 5.4 KeV 的 Cr Ka 作为硬X射线源,一方面可以探测到表面更深度的信息,另一方面还可得到更宽能量范围的能谱信息,使光电子能谱数据资讯达到更内部、更深层和更宽能量的结果。Quantes 是一套技术成熟的高性能 XPS 系统,在未来表面科学研究中将发挥重要的作用。

详细介绍

优势

样品表面更深的深度信息
Cr Kα 和 Al Kα 激发的光电子具有不同的非弹性平均自由程,因此可探测到不同的深度信息,一般的预期是 Cr Kα 数据中深度讯息会比 Al Kα 深三倍,使 Quantes 的分析能力得到重大的提升。



如上图可见Cr Kα的非弹性自由层的深度是Al Kα的三倍


如上图左,使用Al Kα测试一SiO2 10nm厚样式基本只看到表面的氧化硅;而在右图所示在使用Cr Kα分析同一样品可同时侦测出表面氧化硅和深度10nm后更深金属硅的讯号


探测高结合能的内层电子和更宽的XPS能谱

当内层电子的结合能高于 1.5 KeV 而小于 5.4 KeV 时,该层电子无法被 Al Kα X射线激发产生光电子,但却能被 Cr Kα X射线激发产生光电子。因此,使用 Cr Kα 能在激发更内层光电子的同时得到能量范围更宽的光电子能谱(如下图)。




特点

PHI Quantes设备双单色光源的示意图


双单色化的X射线源,Cr Kα(4 KeV)和Al Kα(1.5 KeV)

Cr Kα 分析深度是 Al Kα 的三倍



如上图,PHI Quantes双光源都可扫描聚焦的同时定位可保证为一致


Cr Kα 与 Al Kα 双X射线源能实现同点分析

技术成熟的双束电荷中和技术

Cr Kα 定量灵敏因子


可选配件

样品定位系统(SPS)

样品处理室(Preparation chamber)

冷/热变温样品台

团簇离子源 GCIB


应用实例分析

例一:金属氧化物 Fe-Cr 合金分析

光电子能谱图中,有时会出现X光激发产生的光电子与某些俄歇电子能量范围重合的情况。例如在探测 Fe-Cr 合金全谱时,PHI Quantes 可以一键切换 Cr Kα 与 Al Kα X射线源,那么光电子与俄歇电子就能在全谱中很好地区分开(如下图)




如下图,尽管在Fe2p和Cr2p的精细谱中,Al Kα得到的Fe2p与俄歇电子谱峰稍有重叠,但是根据不同的深度信息,我们依然可以发现Fe和Cr的氧化物只存在于样品的表面。详细研究Fe和Cr之间的氧化物含量可能导致氧化物厚度或深度的差异。




例二:褪色的铜电极分析

如下图中光学显微镜下,可以观察到铜电极产品上颜色发生了变化,以此定位分析点A/B和a/b。再使用 PHI Quantes 对样品这买个区域做分析




使用 PHI Quantes 分析此样品得到上图的结果,当中 Cr Kα 在(A,B)两个分析区域结果 Cu2+ 和 Cu+ 组成比例有明显的不同。但是在使用 Al Kα 分析(a,b)两区域时,Cu2+ 和 Cu+ 化学态和组成比基本没有明显的差别。

这个结果表明:在亮暗区域,Cu 主要以 Cu2O 形式存在。但是,用 Cr Kα 探测到暗处有更多的 CuO,说明 CuO 更多地存在于 Cu2O 的下面。


例三:多层薄膜分析

如下图,对一多层薄膜使用 PHI Quantes 分析,留意图中所标示在不同X射线源(Al Kα & Cr Kα)和不同样品测试倾角时,使用了蓝/绿/红示意出XPS分析深度的不同。





如以左上图蓝/绿/红图谱结果中可见,只有通过 PHI Quantes Cr Kα 分析才可直接透过XPS探测到 14nm 的 Y2O3 层下面的 Cr 层 Cr2p 信息。而右上图曲线拟合结果也可用来研究 Cr 的化学状态。通过研究Cr Kα 在 90° 和 30° 入射得到的谱图可知,Cr 氧化物是存在在 Y2O3 和 Cr 之间的界面。


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