光伏半导体超纯水制备
多晶硅超纯水设备
主要用在多晶硅片清洗中，多晶硅片,半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导;碱金属如钠等，引起严重漏电,颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。
为什么光伏行业晶体管、半导体集成电路清洗一定要用超纯水
在晶体管、集成电路生产中，纯水主要用于清洗硅片，另有少量用于药液配制，硅片氧化的水汽源，部分设备的冷却水，配制电镀液等。集成电路生产过程中的80%的工序需要使用高纯水清洗硅片，水质的好坏与集成电路的产品质量及生产成品率关系很大。水中的碱金属(K、Na等)会使绝缘膜耐压不良，重金属(Au、Ag、Cu等)会使PN结耐压降低，Ⅲ族元素(B、Al、Ga等)会使N型半导体特性恶化，Ⅴ族元素(P、As、Sb等)会使P型半导体特性恶化，水中细菌高温碳化后的磷(约占灰分的20-50%)会使P型硅片上的局部区域变为N型硅而导致器件性能变坏，水中的颗粒(包括细菌)如吸附在硅片表面，就会引起电路短路或特性变差。集成电路(DRAM)集成度16K的要求是电阻率16兆欧以上，集成电路(DRAM)集成度64K的要求是电阻率16兆欧以上，集成电路(DRAM)集成度256K的要求是电阻率≥17 MΩ?cm，集成电路(DRAM)集成度1M的要求电阻率≥18MΩ?cm，集成电路(DRAM)集成度4M的要求电阻率≥18MΩ?cm，集成电路(DRAM)集成度16M的要求电阻率≥18.2MΩ?cm。
执行标准
JBT 7621-1994 电力半导体器件工艺用高纯水
GBT11446.1-2013电子级超纯水中国国家标准
GB6682-2000中国国家实验室用水GB6682-2000
ASTM D5127-2007美国电子和半导体水质标准
GB/T 11446.3——1997 电子级水测试方法通则
GB/T 11446.4——l997 电子级水电阻率的测试方法
GB/T 11446.5——1997 电子级水中痕量金属的原子吸收分光光度测试方法
GB/T 11446.6——1997 电子级水中二氧化硅的分光光度测试方法
GB/T 11446.7——1997 电子级水中痕量氯离子、硝酸根离子、磷酸根离子、硫酸根离子的离子色谱测试方法
GB/T 11446.8——1997 电子级水中总有机碳的测试方法
GB/T 11446.9——1997 电子级水中微粒的仪器测试方法
GB/T 11446.10——1997 电子级水细菌总数的滤膜培养测试方法
我司整合了的工艺及技术，采用预处理+双级反渗透+EDI+双级抛光混床+终端滤器。
超纯水一方面在于制水工艺，另外一个重要的方面在于超纯水的输送，我司采用PVDF材质管道，保证终端用水点的水质达到使用要求。
