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北京智德创新仪器设备有限公司
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ZJC-E介质损耗因数测量仪是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε)，可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据。
ZJC-E介质损耗因数测量仪
1、影响介质损耗因数测量结果的因素
介质损耗因素不仅受到设备缺陷和电磁场干扰的影响， 还受到温度、试验电压、试品电容的影响。
3.1 温度的影响
温度对 tanδ 测量的影响较大，绝大多数情况下，同一 种被试品的 tanδ 随着温度的升高而增大。但由于不同绝缘 介质或不同潮湿程度有着不同的随温度变化的规律，一般 无法将某一温度下测得的介质损耗因数值准确换算至另一 温度下的数值，在 20℃至 80℃之间，tanδ 随着温度而变 化的经验公式为 tanδ=tanδ0e α（t-t0），但这种温度换算方法 所得的数据也只是近似的。最好在 10℃至 30℃范围内并与 历史试验测量时相近的温度下对设备进行 tanδ 测量。
3.2 试验电压的影响
对绝缘良好的设备而言，在一定试验电压范围内，流 过绝缘介质的电流有功和无功分量随着电压的增加成比例 增加，因此介质损耗因数不会有明显变化。但对于绝缘有 缺陷的设备来说，当电压上升到介质的局部放电起始电压 以上时，介质中夹杂气泡或杂质的部分电场可能很强，会 首先放电，产生附加损耗，使测得的介质损耗因数值增加。 因此在较高电压下测量 tanδ，可以较为真实地反映出设备的绝缘状况，便于及时准确地发现设备绝缘存在的缺陷。
3.3 tanδ 与试品电容的关系
对于如套管、电压互感器、电流互感器等电容量比较 小的设备，测量其介质损耗因数可以有效发现其存在的局 部集中性缺陷和整体分布性缺陷。但若集中性缺陷的体积 所占被试设备绝缘体积的比重很小，如大、中型变压器等 大体积设备的局部缺陷，其引起的损耗只占总损耗中的极 小部分，则测量其介质损耗因数不能灵敏的反映绝缘缺陷， 应尽量进行分解试验。下面通过公式来解释这一现象。设 备绝缘由多种材料、多种部件构成，可以看作是由许多并 联等值回路组成。
2、介电常数与耗散因数间的关系
介电常数又称电容率或相对电容率， 是表征电介质或绝缘材料电 性能的一个重要数据，常用 ε 表示。 介质在外加电场时会产生感应 电荷而削弱电场，原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介 电常数。其表示电介质在电场中贮存静电能的相对能力， 例如一个电 容板中充入介电常数为 ε 的物质后可使其电容变大 ε 倍。介电常数愈 小绝缘性愈好。如果有高介电常数的材料放在电场中， 场的强度会在 电介质内有可观的下降。介电常数还用来表示介质的极化程度， 宏观 的介电常数的大小， 反应了微观的极化现象的强弱。气体电介质的极 化现象比较弱，各种气体的相对介电常数都接近1 ，液体、固体的介 电常数则各不相同，而且介电常数还与温度、电源频率有关
有些物质介电常数具有复数形式， 其实部即为介电常数， 虚数部 分常称为耗散因数。
通常将耗散因数与介电常数之比称作耗散角正切， 其可表示材料 与微波的耦合能力， 耗散角正切值越大， 材料与微波的耦合能力就越 强。例如当电磁波穿过电解质时，波的速度被减小，波长也变短了。
介质损耗是指置于交流电场中的介质， 以内部发热的形式表现出 来的能量损耗。介质损耗角是指对介质施加交流电压时， 介质内部流 过的电流相量与电压向量之间的夹角的余角。介质损耗角正切是对电 介质施加正弦波电压时， 外施电压与相同频率的电流之间相角的余角 δ 的正切值--tg δ. 其物理意义是：每个周期内介质损耗的能量//每个
周期内介质存储的能量。
介电损耗角正切常用来表征介质的介电损耗。介电损耗是指电 介质在交变电场中, 由于消耗部分电能而使电介质本身发热的现象。 原因是电介质中含有能导电的载流子,在外加电场作用下,产生导电电 流,消耗掉一部分电能,转为热能。任何电介质在电场作用下都有能量
损耗，包括由电导引起的损耗和由某些极化过程引起的损耗。
用 tg δ作为综合反应介质损耗特性优劣的指标， 其是一个仅仅取 决于材料本身的损耗特征而与其他因素无关的物理量， tgδ的增大意 味着介质绝缘性能变差， 实践中通常通过测量 tgδ来判断设备绝缘性 能的好坏。
由于介电损耗的作用电解质在交变电场作用下将长生热量， 这些 热会使电介质升温并可能引起热击穿， 因此， 在绝缘技术中， 特别是 当绝缘材料用于高电场强度或高频的场合，应尽量采用介质损耗因 数， 即电介质损耗角正切 tgδ较低的材料。但是， 电介质损耗也可用 作一种电加热手段，即利用高频电场(一般为0.3--300兆赫兹)对介 电常数大的材料(如木材、纸张、陶瓷等) 进行加热。这种加热由于 热量产生在介质内部， 比外部加热速度更快、热效率更高， 而且热均 匀。频率高于300兆赫时，达到微波波段，即为微波加热(家用微波 炉即据此原理)。
在绝缘设计时， 必须注意材料的 tgδ值。若 tgδ过大则会引起严 重发热，使绝缘材料加速老化，甚至导致热击穿。
一下例举一些材料的 ε 值：
石英-----3.8
绝缘陶瓷-----6.0
纸------70
有机玻璃------2.63
PE-------2.3
PVC--------3.8
高分子材料的 ε 由主链中的键的性能和排列决定
分子结构极性越强， ε 和 tg δ越大。
非极性材料的极化程度较小， ε 和 tg δ都较小。
当电介质用在不同场合时对介电常数与耗散因素的大小有不同 的要求。做电容介质时 ε 大、 tg δ小；对航空航天材料而言， ε 要小 tg δ要大。
另外要注意材料的极性越强受湿度的影响越明显。主要原因是高 湿的作用使水分子扩散到高分子的分子之间， 使其极性增强； 同时潮 湿的空气作用于塑料表面， 几乎在几分钟内就使介质的表面形成一层 水膜， 它具有离子性质， 能增加表面电导， 因此使材料的介电常数和 介质损耗角正切 tgδ都随之增大。故在具体应用时应注意电介质的周 围环境。
电介质在现代生活中经常被用到， 而介电常数与耗散因素是电介 质的两个重要参数， 根据不同的要求， 应当选用具有不用介电常数与 耗散因数的材料， 以达到最佳的效果。同时还应当注意外界因素对介 电常数与耗散因数的影响。
3、仪器符合标准
GB/T1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频下电容率和介质损耗因数的推荐方法；GB/T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法；ASTM D150-11实心电绝缘材料的交流损耗特性和电容率（介电常数）的标准试验方法；GBT5594.4-2015电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法；
4、ZJC-E介质损耗因数测量仪型号及参数
项目/型号 | ZJD-B | ZJD-A | ZJD-C |
信号源 | DDS数字合成信号 | ||
频率范围 | 10KHZ-70MHZ | 10KHZ-110MHZ | 100KHZ-160MHZ |
信号源频率覆盖比 | 7000:1 | 11000:1 | 16000:1 |
采样精度 | 11BIT | 12BIT | |
信号源频率精度 | 3×10-5 ±1个字,6位有效数 | ||
Q值测量范围 | 1～1000自动/手动量程 | ||
Q值量程分档 | 30、100、300、1000、自动换档或手动换档 | ||
Q分辨率 | 4位有效数，分辨率0.1 | ||
Q测量工作误差 | ＜5% | ||
电感测量范围 | 1nH～8.4H,；分辨率0.1 | 1nH～140mH；分辨率0.1 | |
电感测量误差 | ＜3% | ||
电容直接测量范围 | 1pF～2.5uF | 1pF～25uF | |
调谐电容误差分辨率 | ±1pF或＜1% | ||
主电容调节范围 | 30～540pF | 17～240pF | |
谐振点搜索 | 自动扫描 | ||
自身残余电感扣除功能 | 有 | ||
大电容值直接显示功能 | 有 | ||
介质损耗直读功能 | 有 | ||
介质损耗系数精度 | 万分之一 | ||
介质损耗测试范围 | 0.0001-1 | ||
介电常数直读功能 | 有 | ||
介电常数精度 | 千分之一 | ||
介电常数测试范围 | 0-1000 | ||
LCD显示参数 | F,L,C,Q,LT,CT,波段等 | ||
准确度 | 150pF以下±1pF；150pF以上±1% | ||
Q合格预置范围 | 5～1000声光提示 | ||
环境温度 | 0℃～+40℃ | ||
消耗功率 | 约25W | ||
电源 | 220V±22V，50Hz±2.5Hz | ||
极片尺寸 | 38mm/50mm(二选一) | ||
极片间距可调范围 | ≥15mm | ||
材料测试厚度 | 0.1-10mm | ||
夹具插头间距 | 25mm±0.01mm | ||
夹具损耗正切值 | ≤4×10－4 （1MHz） | ||
测微杆分辨率 | 0.001mm | ||
测试极片 | 材料测量直径Φ38mm/50mm，厚度可调 ≥ 15mm | ||
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