HTRS-1000型高温半导体材料电阻率测试仪主要用于半导体材料导电性能的评估和测试，该系统采用四线电阻法测量原理进行设计开发，可以在高温、真空气氛的条件下测量半导体材料电阻和电阻率，可以分析被测样品电阻和电阻率随温度、时间变化的曲线。目前主要针对圆片、方块、长条等测试样品进行测试，可以广泛用于半导体材料硅（si）、锗（ge）,化合物半导体材料砷化镓(GaAs)、锑化铟（InSb），三元化合

详细介绍

HTRS-1000型高温半导体材料电阻率测试仪

HTRS-1000型高温半导体材料电阻率测试仪主要用于半导体材料导电性能的评估和测试，该系统采用四线电阻法测量原理进行设计开发，可以在高温、真空气氛的条件下测量半导体材料电阻和电阻率，可以分析被测样品电阻和电阻率随温度、时间变化的曲线。目前主要针对圆片、方块、长条等测试样品进行测试，可以广泛用于半导体材料硅（si）、锗（ge）,化合物半导体材料砷化镓(GaAs)、锑化铟（InSb），三元化合物半导体GaAsAl、GaAsP，固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP等的块体材料的电阻率测量等材料的电阻率测量。

一、产品特点

1、设备集成度高，一体化设计，精密测量。

2、1000度的高温炉膛，耐高温、抗氧化的测试夹具，测量精准无误

3、铂铱合金材料测试探头，抗氧化，经久耐用。

4、控温精度达到±0.5℃，温度、时间曲线直观

5、常温、高温、真空、流动气氛等多种试验环境

6、各种样品均可测试：单样品块体测量夹具，针对圆片、方块、长条等样品

7、自动保压，防止击穿

二、主要技术参数：
温度范围：RT-1000℃
升温斜率：0-10℃/min (典型值：3℃/min)
控温精度：±0.1℃
电阻测量范围：0.1mΩ~1MΩ
电阻率测量范围：100nΩ..cm~100KΩ .cm
测量环境：惰性气氛、还原气氛、真空气氛
测量方法：四线电阻法，探针法
测试通道：单通道或是双通道
样品尺寸：10mmx10mmX20mm或φ＜20mm ,d＜5mm
电极材料：铂铱合金电极（耐高温，抗氧化）
绝缘材料：99氧化铝陶瓷
数据存储格式：自动分析数据，可以分类保存，样品和测量方案结合在一起，生成系统所需的实验方案，输出TXT、XLS、BMP等格式文件