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GWST-1000型高温四探针综合测试系统（包含薄膜，块体功能）是为了更方便的研究在高温条件下的半导体的导电性能，该系统可以实现在高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率和外延层、扩散层和离子层的方块电阻及测量其他方块电阻。
GWST-1000型高温四探针综合测试系统（包含薄膜，块体功能）
关键词：四探针，电阻，方阻
GWST-1000型高温四探针综合测试系统（包含薄膜，块体功能）是为了更方便的研究在高温条件下的半导体的导电性能，该系统可以实现在高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率和外延层、扩散层和离子层的方块电阻及测量其他方块电阻。
二、符合：
1、符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、
2、符合GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》
3、符合美国 A.S.T.M 标准
二、产品应用：
1、测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；
2、可测柔性材料导电薄膜电阻率/方阻
3、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）电阻率/方阻
4、纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻
5、电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量
6、可测试电池极片等箔上涂层电阻率方阻
三、主要技术参数
温度范围：RT-1000℃
升温斜率：0-10℃/min (典型值：3℃/min)
控温精度：±0.1℃
电阻测量范围：0.1mΩ~1MΩ
电阻率测量范围：100nΩ..cm~100KΩ .cm
测量环境：惰性气氛、还原气氛、真空气氛
测量方法：四线电阻法，探针法
测试通道：单通道或是双通道
样品尺寸：10mmx10mmX20mm或φ＜20mm ,d＜5mm
电极材料：铂铱合金电极（耐高温，抗氧化）
绝缘材料：99氧化铝陶瓷
数据存储格式：自动分析数据，可以分类保存，样品和测量方案结合在一起，生成系统所需的实验方案，输出TXT、XLS、BMP等格式文件
数据传输：USB
符合标准：ASTM
供电：220V±10%，50Hz
工作温度：5℃ 至 + 40 ℃；
工作湿度：+40 ℃ 时，相对湿度高达 95%（无冷凝）
设备尺寸： L360mm*W370mm*H510mm
重量：22kg
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