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武汉普赛斯仪表有限公司
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IGBT器件动态参数测试需要的仪器是一系列的，具体可以找生产厂家普赛斯仪表为您提供检测方案哦！普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、脉冲式源表、集成插卡式源表、窄脉冲电流源、高精度高压电源等，*国产空白
选择普赛斯仪表的理由：
1、国产自主研发
技术雄厚，多项砖利，自主可控
2、可定制化方案
聚焦鲜进器件，提供成熟可落地定制化方案
3、对标进口
国货精品，品质保障，对标进口产品
IGBT测试难点：
1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。
2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。
3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。
4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。
5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。
6、IGBT开关特性非常重要，需要进行双脉冲动态参数的测试。
IGBT器件动态参数测试设备认准武汉生产厂家普赛斯仪表，普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、脉冲式源表、集成插卡式源表、窄脉冲电流源、高精度高压电源等，*国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺，为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合，帮助用户构建自定义解决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台，以及相关技术服务，满足行业对测试效率、测试精度，以及低成本的挑战。
那么IGBT器件动态参数测试需要哪些仪器呢？
E系列高电压源测单元具有输出及测量电压高（3000V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在D一象限，输出及测量电压0~3000V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
E300高电压源测单元
P系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达10A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表适用于各行各业使用者，特别适合现代半导体、纳米器件和材料、有机半导体、印刷电子技术以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。
P系列脉冲源表
总之，IGBT器件动态参数测试需要的仪器是一系列的，具体可以找生产厂家普赛斯仪表为您提供检测方案哦！
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