CX7509采用SOP一8封装，大功率16W。CX7509使用原边取样来进行精确的恒流、恒压控制，可以省去一般应用中的光耦与TL431。
CX7509在恒流模式下，输出功率可由CS脚外接的取样电阻Rs设定。在恒压模式下，芯片的多种工作模式可以保证较高的整体转换效率。
CX7509此外，芯片内置有线压降补偿，由此取得良好的负载调整率。CX7509在恒流模式下工作于PFM状态，在恒压模式下工作于PWM状态，轻载时降频工作。
一、概述
CX7509 是一颗电流模式PWM 控制芯片，内置 650V 高压功率 MOSFET，应用于功率在 18W 以内的方案。CX7509 在 PWM 模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时，工作频率由 IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。CX7509 在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路，当电路工作于大占空比时，避免次谐波振荡的发生，改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时（Leading-edge blanking time），消除缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电路的影响。CX7509 采用了抖频技术，能够有效改善系统的 EMI 性能。系统
的跳频频率设置在音频(22KHz)以上，在工作时可以避免系统产生噪音。CX7509 内置多种保护，包括逐周期限流保护（OCP），过载保护（OLP），过压保护（VDD OVP），VDD 过压箝位，欠压保护（UVLO），过温保护（OTP）等，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的EMI 特性和开关的软启动控制。
二、特点
l 全电压范围（90Vac-265Vac）输入时待机功耗小于 100mW
l 内置 650V 高压功率管
l 4ms 软启动用来减少MOSFET 上 Vds 的应力
l 抖频功能，改善EMI 性能
l 跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗
l 无噪声工作
l 固定 65KHz 开关频率
l 内置同步斜坡补偿
l 低启动电流，低工作电流
l 内置前沿消隐(LEB)功能
l 过载保护（OLP），逐周期限流保护（OCP）
l VDD 过压保护（VDD OVP），欠压保护（UVLO），VDD 电压箝位
l 过温保护（OTP）
l SOP8 无铅封装
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一、概述
CX7538 是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中，轻松满
足 6 级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达 150kHz 的开关频率应用，并
且支持 CCM / QR / DCM 等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导
通损耗，*提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。
芯片内置耐压高达 85V 的 NMOSFET 同步整流开关，且具有极低的内阻，典型 RdsON 低至 10mΩ，
可提供系统高达 3A 的应用输出；还内置了高压直接检测技术，耐压高达 200V；以及高达 30V 的供电电
压，使得控制器可直接使用高至 24V 的输出电压整流应用中，*扩展了使用范围。
高集成度的电路设计使得芯片外围电路极其简单，在 QC 与 PD 5V/9V/12V 应用中，只需搭配 1 颗电
容，即可构建一个完整的同步整流应用系统。
二、特点:
l 支持开关电源 CCM/QR/DCM 模式
l 的 5V/9V/12V 快充同步整流应用
l 内置 MOS 耐压达 85V
l 内置 MOS 的导通电阻低至 10mΩ
l 较传统肖特基提升效率 2~6%
l 极宽的工作电压范围 4.5V 至 36V
l 可 5V 直接供电或由辅助绕组供电
l 静态工作电流可低至 600uA
l 支持开关电源频率至 150KHz
l 至简外围应用无需任何原件
l SOP8 封装形式
三、应用范围:
l 5V3A~12V2A、快充电源
l 18W-PD 快充电源
l 高能效开关电源
典型应用:QC2.0、5V3A、9V2A、12V2A
