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12n10 50N06 30N06场效应管 TO252 mos管

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具体成交价以合同协议为准

产品型号HC021N10L

品       牌惠海半导体

厂商性质生产商

所  在  地东莞市

更新时间:2021-03-26 17:05:40浏览次数:983次

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12n10 50N06 30N06场效应管 TO252 mos管
惠海半导体专注研发设计、生产销售高品质价格有优势的低结电容、低内阻的雾化器、美容仪、加湿器MOS管 30V 60V 100V 150V调光LED灯MOS管。惠海半导体是专从事LED驱动芯片的研发、生产、销售和服务于一体的*,本公司拥有工程技术人员和研发团队,致力于LED驱动芯片的研发。惠海半导体的产品已广泛应用于城市景观

12n10 50N06 30N06场效应管  TO252 mos管 12n10 50N06 30N06场效应管  TO252 mos管

 

型号:HC3400M
参数:30V 5.8A 
类型:N沟道场效应管
内阻27mR(Vgs=10V)
低结电容635pF 
封装:SOT23-3
低开启电压0.7V
广泛用于:电脑主板、蓝牙音响、大电流RGB灯带调光、LED车灯、手机无线充、逆变系统。

 

 型号:HC012N06LS2
参数:60V 12A 
类型:N沟道场效应管
内阻11mR
低结电容1100pF 
封装:贴片(SOP-8)
低开启电压1.8V
广泛用于电动车照明、汽车照明、汽车大灯、工作灯、铲车灯、安定器、太阳能照明、太阳能控制器、蓝牙音箱、RGB调光照明、小家电、板卡音响、led去频闪照明、开关电源、车充、电动车手机充电器、DC恒压恒流电路应用、DC逆变系统。

 

型号:HC021N10L-A
参数:100V 35A 
类型:N沟道场效应管
内阻20mR
低结电容1880pF 
封装:贴片(TO-252)
低开启电压1.7V
低结电容,低内阻,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强
应用领域:车灯照明

 

型号:HC160N10L    N沟道场效应管   100V10A(10N10)  TO-252封装 内阻145mR,可用于雾化器、车灯电源等
型号:HC080N10L    N沟道场效应管   100V17A(17N10)TO-252封装   内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等
型号:HC021N10L    N沟道场效应管   100V35A (35N10)TO-252封装  内阻22mR,可用于工控电源
型号:HC080N10LS   N沟道场效应管   100V15A SOP-8封装          内阻68mR
型号:HC15N10      N沟道场效应管   100V15A(15N10)TO-252封装   内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等
型号:HC012N06L    N沟道场效应管   60V50A(50N06 )TO-252封装   内阻12mR,汽车灯电源、电机驱动、控制器等
型号:HC012N06LS   N沟道场效应管   55V12A  SOP-8封装          内阻13mR
型号:HC037N06L    N沟道场效应管   60V30A(30N06)TO-252封装,  内阻30mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
型号:HC240N10LS   N沟道场效应管   丝印HC310 100V3A 3N10 SOT23-3封装     内阻200mR 
型号:HC160N10LS   N沟道场效应管   丝印HC510    100V5A (5N10)SOT23-3封装 内阻155mR 可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
型号:HC610        N沟道场效应管   100V6A  6N10  SOT23-3L              内阻80mR
型号:HC037N06LS   N沟道场效应管   60V30A     SOP-8封装                内阻30mR
型号:HC080N06L    N沟道场效应管   60V17A 15N06 TO-252封装             内阻70mR
型号:HC080N06LS   N沟道场效应管   丝印HC606  60V6A     SOT23-3封封装  内阻90mR
型号:HC706        N沟道场效应管   60V7A  SOP-8封装                    内阻80mR
型号:HC020N03L    N沟道场效应管   30V30A TO-252                       内阻20mR
型号:HC3600M      N沟道场效应管   30V8A       SOT23-3封装             内阻22mR
型号:HC3400M      N沟道场效应管   30V5.8A     SOT23-3封装             内阻30mR
型号:HC1033D      N沟道场效应管   100V8A      DFN3*3封装              内阻145毫欧
型号:HC1019D      N沟道场效应管   100V14A     DFN3*3封装              内阻84毫欧
型号:HC1006DD     N沟道场效应管   100V30A     DFN3*3封装              内阻20毫欧
型号:HC6033D      N沟道场效应管   60V13A      DFN3*3封装              内阻70毫欧
型号:HC6019D      N沟道场效应管   60V20A      DFN3*3封装              内阻30毫欧
型号:HC5511D      N沟道场效应管   55V40A      DFN3*3封装              内阻13毫欧
型号:HC3022D      N沟道场效应管   30V45A      DFN3*3封装              内阻13毫欧
型号:HC3022D      N沟道场效应管   30V45A      DFN3*3封装              内阻13毫欧
型号:HC3039D      N沟道场效应管   30V25A      DFN3*3封装              内阻24毫欧 
型号:HC1519D      N沟道场效应管   150V6A      DFN3*3封装              内阻238毫欧

 

【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等
惠海半导体专从事30-150V中低压MOS管的设计、研发、生产与销售,性价比高,量产稳定成熟,提供方案及技术帮助。惠海半导体MOS管采用SGT工艺,性能优越,品质好,具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。

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