GE模块IC693PBM200DE

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逆变器采用微处理器、适当的检测和反馈及正确的算法，可以为电网提供各种服务，而不仅仅是存储和释放电能。一个例子是以电压支持、频率调节和谐波降低来保持电力质量。分布式能源可以减少输电和配电网络的负荷，因为电能在靠近发电的地方使用。这可以减少电网的紧张和拥挤，甚至推迟电力线的升级。

　　当大量的电力通过逆变器时，交流和直流电源之间的转换必须非常高效。事实上，商用逆变器的峰值效率在96-98%。但电网运营商想要更高的能效，特别是在公用事业规模上，因为能效的微小变化仍意味着大量的电力。

　　为了达到这些能效水平，功率器件必须具有非常低的损耗。如今，IGBT已成为这些应用的主力开关。但IGBT的传导电流为几百安培，阻断几千伏特的电压，它是采用类似于制造手机和数据中心高性能计算芯片所使用的工艺，由硅制成的。

　　然而，新材料有望实现更高的性能、更高的能效和更高的可靠性。具体地说，碳化硅(SiC)是未来的材料。SiC功率电子器件比类似的硅器件具有更低的传导和开关损耗。过渡的阶段涉及低级二极管，如图1所示，该二极管反向并联连接至IGBT。将硅二极管替换为SiC二极管可降低损耗并减少开关期间的过冲，从而减少了逆变器上的应力。尽管SiC二极管比硅二极管更昂贵，但较小的散热器和系统尺寸可降低整体系统成本。

　　SiCMOSFET是过渡的下一阶段。SiCMOSFET的开关速度比硅IGBT快得多，因此它们用于太阳能发电系统的升压级带来更大的优势。通常，使用DC-DC转换器增加太阳能电池板的输出电压。SiCMOSFET可更快地开关，因而减小了升压级中昂贵的无源器件如电感器的尺寸，并提高了效率。

　　安森美半导体提供各种IGBT、SiC二极管和SiCMOSFET，可满足各种逆变器对电压和电流的要求。的是电源模块，将许多不同的电源开关和二极管封装在一起，以实现小尺寸，易于设计和高效散热。除主要的功率电子器件外，安森美半导体还提供门极驱动器、伽伐尼隔离和高性能运算放大器使系统完整。

　　随着可再生能源和储能技术的改进和成本的下降，电网的“逆变化”继续以越来越快的速度进行。除了减少碳排放和污染外，逆变器还支持更灵活和更具参与性的电网，使消费者和生产者之间的界限变得模糊。电力公司正确的控制和协调，可提高电力质量，降低升级成本，为用户提供更可靠服务。电力电子是使我们关键基础设施得以更新的关键使能技术。