Trymax晶圆UV固化设备：NEO 2000UV光刻胶核心技术参数

Trymax NEO 2000UV是荷兰Trymax独立研发的非等离子工艺Trymax晶圆UV固化设备，专为200mm晶圆光刻胶UV稳定固化、浮栅器件静电电荷擦除打造，用于离子注入、金属/多晶硅刻蚀前光刻胶预处理，提升微细CD图形工艺选择性，降低器件静电损伤带来的良率损耗。传统产线多采用热烘炉做光刻胶稳定，存在热变形、电荷残留缺陷，Trymax晶圆UV固化设备采用低温紫外辐照方案，无热应力损伤，同时集成离子消除功能，单台设备一道工序完成双重处理。

Trymax晶圆UV固化设备搭载双独立工艺腔体，辐照强度无级可调，适配不同类型DUV深紫外光刻胶，标配2组开放式料盒或双SMIF密闭载台，4轴全自动晶圆传输机械手，机身内置离子风棒实时消除传输静电。整机搭载EtherCAT全数字控制系统，标配SECS-II工厂主机通讯协议，前后双操作界面方便工艺调试，可按需加装晶圆自动对位、条码读取、晶圆映射扫描、AGV自动上下料选配模块。

北京汉达森机械技术有限公司，田永福。

一、Trymax品牌全系列主流型号汇总

Trymax NEO 200A、Trymax NEO 2000、Trymax NEO 2400、Trymax NEO 3000、Trymax NEO 3400、Trymax NEO 2000UV

二、Trymax NEO 2000UV核心技术参数对照表

2.1 双腔体UV固化+电荷消除一体化核心技术

这款Trymax晶圆UV固化设备双腔体可同步运行光刻胶稳定化与浮栅电荷擦除两道工序，无需搭配多台热烘设备，大幅节省洁净车间占地面积。低温紫外工艺不会造成光刻胶图形热膨胀变形，针对小CD微细DUV光刻胶优化专用辐照波段，有效提升后续刻蚀工艺选择性，减少线条偏移缺陷。整机工艺参数全数字化记录，辐照时长、功率、静电消除时长均可完整追溯，满足半导体工厂严苛品质管控要求。

2.2 配套半导体工艺应用场景

Trymax晶圆UV固化设备常与Trymax量产等离子除胶机配套组成完整8英寸前道干法工艺产线，主要用于离子注入前光刻胶加固、多晶硅/氧化层/金属层刻蚀前胶膜稳定、存储器件浮栅电荷消除、薄膜磁头绝缘膜成型、化合物半导体剥离工艺预处理、射频滤波器微细图形光刻稳定六大工序。广泛应用于存储芯片、5G射频器件、MEMS传感器、第三代半导体制造厂区。

三、UV专用设备差异化竞争优势

• UV固化+电荷消除一体机，替代多台传统热烘设备，降低设备采购成本；

• 低温紫外工艺，无晶圆热应力损伤，保障微细光刻图形尺寸精度；

• 内置离子消除装置，杜绝静电击穿器件，稳定提升成品良率；

• 模块化选配功能丰富，可无缝对接全自动AGV天车智能产线。

作为干法等离子产线配套核心预处理设备，Trymax NEO 2000UV Trymax晶圆UV固化设备弥补传统热烘工艺缺陷，是8英寸半导体产线辅助工艺设备。

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