双NMOS的半桥栅极驱动芯片

深圳市三佛科技有限公司 供应 SA2601A双NMOS的半桥栅极驱动芯片，原装

SA2601A是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计，可在高达600V电压下工作。

SA2601A内置VCC和VBS欠压(UVLO)保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。

SA2601A输入脚兼容3.3-15.0V输入逻辑，上下管延时匹配大为50ns，驱动能力为+0.3A/-0.6A.

SA2601A采用SOP8封装。

SA2601A双NMOS的半桥栅极驱动芯片特性：

悬浮 电压600V

电源电压工作 范围:10.0-20.0V，

兼容3.3/5/15V输入逻辑，

驱动电流:+0.3AJ 0.6A(typ.) ，

延时匹配时 间: 50ns，

集成VCC和VBS欠压 保护SOP8封装。

SA2601A双NMOS的半桥栅极驱动芯片典型应用

马达驱动

逆变器电源

LLC电源

售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持。

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SA2601A双NMOS的半桥栅极驱动芯片 产品供应

栅极驱动器芯片是电源管理芯片中的重要组成部分，它能够驱动功率MOSFET的栅极，控制电源的开关。其可分为单路、多路、高低侧驱动等类型，根据应用场景和控制模式的不同，选择不同类型的栅极驱动器芯片可以实现电源的控制和调节，从而满足不同电子设备的需求。

单路栅极驱动器芯片常用于单相交流电源的变换器中，通过对MOSFET栅极的控制，实现电源的开关和电压的变换。这种芯片控制简单，成本低，可靠性高，适合于低功率、小型化的电源转换器，如手机充电器、数码相机电源等。

多路栅极驱动器芯片则适用于多路功率MOSFET的控制，可实现电源的多路开关控制。例如，电动汽车电池管理系统中需要对多个电池进行管理和控制，多路栅极驱动器芯片可以对多路MOSFET进行精确控制，实现电池的充电和放电保护。

高低侧栅极驱动器芯片则适用于电源的高低侧开关控制，可实现电源的无级调节。例如，汽车LED头灯控制器中需要对LED的亮度进行调节，高低侧栅极驱动器芯片可以实现LED灯的无级调节，使其适应不同的光照环境。