60V 4A P沟道 MOS管 HN04P06-深圳市三佛科技有限公司

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产品简介

深圳市三佛科技有限公司供应 60V 4A P沟道 MOS管 HN04P06，原装，库存现货*

深圳市三佛科技有限公司供应 60V 4A P沟道 MOS管 HN04P06，原装，库存现货*

HN04P06 参数： -60V -4A SOT-23 P沟道MOS管/场效应管

品牌：HN

型号：HN04P06

VDS： -60V

IDS： -4A

封装： SOT-23

沟道：P沟道

HN04P06原装现货，HN04P06优势*

HN04P06广泛运用于LED灯，电源，玩具，雾化器等产品上。

售后服务：公司免费提供HN04P06样品，并提供产品运用的技术上支持。

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【60V MOS N/P沟道】

HN2310: 60V 3A SOT23 N沟道 MOS管

HN04P06 ： -60V -4A SOT-23 P沟道 MOS管

HN50N06DA：60V 50A TO-252 N沟道 MOS管

HN9940L 60V 20A TO-251 N沟道 MOS管

【100V MOS 】

HN0501: 100V 5A SOT-23 N沟道 MOS管

HN0801: 100V 8A SOT-89 N沟道MOS管

HN0301: 100V 3A SOT-23S N沟道MOS管

HN03N10D：100V 3A SOT-89 N沟道 MOS管

HN15N10DA：100V 15A TO-252 N沟道 MOS管

10N10 ：100V 10A TO-252 N沟道 MOS场效应管

10N10 ：100V 10A SOT-89 N沟道 MOS场效应管

HN40N10KA： 100V 40A TO-252 N沟道 MOS管低开启电压

05N10: 100V 5A SOT-23 N沟道 MOS场效应管

05N10: 100V 5A SOT-89 N沟道 MOS场效应管

场效应管使用优势：

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。

在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。