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HN0801 100V 8A SOT-89 贴片MOS管

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更新时间:2019-10-09 16:15:18浏览次数:448

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产品简介

供应HN0801 100V 8A SOT-89 贴片MOS管,HN0801原装*,库存现货*

详细介绍

供应供应HN0801 100V 8A SOT-89 贴片MOS管,HN0801原装*,库存现货*

HN0801为中压MOS:100V,N沟道,大电流,HN0801实际电压可以达到100V,HN0801产品质量稳定,广泛运用于小家电,雾化器,加湿器,电源
100V MOS管,HN0801参数:100V 8A SOT-89 N沟道MOS管/场效应管,
品牌:HN
型号:HN0801
VDS:100V  
IDS:8A  
封装:SOT-89
沟道:N沟道
HN0801原装*,HN0801现货*供应
HN0801产品应用于:小家电,雾化器,加湿器,电源
我司可以免费提供100V MOS管HN0801样品,欢迎您咨询及购买100V MOS管HN0801
售后服务:公司免费提供HN0801样品,并提供产品运用的技术与支持。

100V MOS管HN0801可替代:AO4292,AO4292E,AO4452,AO4454,AO4482,2SK2055,PCP1403,BSS606N, 2SK1764, CJA03N10,2SK1592,VSR050N06MS,RHP020N06T100,RJP020N06,NCE3055,UT3N06G,FIR3N10MTG,2SK1273,NCE6003M,2SK2055,2SK3065,2SK2615,PL3N10M,NCE0102M,WSE9968A,HM3N10PR,

HM4N10PR,HM6N10PR,HM2N15PR,AP2310GG,AP6N090G

场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通

 

 

深圳市三佛科技有限公司是一家致力于电子元器件行业的大型代理分销机构,经营的产品有:集成电路、单片机、二极管、三极管、MOS管、可控硅、 数据收发模块等。 公司主要经营和代理欧美品牌有:FREESCALE、intersil、infineon、Altera、TI、AD、IR、ON、Fairchild、ST、ATMEL、XILINX、NXP、PHILIPS、MOTOROLA、 NATIONAL 、SEMICONDUCTOR、SHARP、TOSHIBA、VISHAY、AOS等IC 。同时代理销售中国台湾富鼎*(APEC),远翔,成启,华润华晶,长电,新洁能等的MOS管,二,三极管及驱动IC。  真诚为客户提供原装*。

 

 

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