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20V P沟道MOS管-20V -3A SOT-23 替代AO2301

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更新时间:2019-07-10 11:17:01浏览次数:599

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产品简介

供应20V P沟道MOS管-20V -3A SOT-23 替代AO2301----HN2301,原装*,库存现货*

HN2301可以替代型号:CJ2301,AO2301,AP2301GN

品牌:HN
型号:HN2301GN
VDS: -20V
IDS: -3A
封装:SOT-23
沟道: P沟道
HN2301GN原装现货,HN2301GN优势*

详细介绍

供应20V P沟道MOS管-20V -3A SOT-23 替代AO2301----HN2301,原装*,库存现货*

HN2301可以替代型号:CJ2301,AO2301,AP2301GN

品牌:HN
型号:HN2301GN
VDS:  -20V
IDS: -3A
封装:SOT-23
沟道:  P沟道
HN2301GN原装现货,HN2301GN优势*
HN2301GN泛运用于电源,充电头,控制板,计算机,家电,通讯设备等产品上,欢迎您咨询HN2301GN
售后服务:公司免费提供HN2301GN样品,并提供HN2301GN产品运用的技术与支持。

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MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。

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