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未来5年下一代存储器将加快进入市场

阅读:927          发布时间:2019-8-12

人工智能与大数据对芯片的处理能力提出了越来越严苛的要求,芯片的运算能力和存储能力正在成为瓶颈,这也是各家半导体公司竞相开发新的硬件平台、计算架构与设计路线,以期提升芯片性能的主要原因。MRAM、ReRAM 和 PCRAM 等下一代存储器技术兴起,便是芯片与系统设计人员致力研发的重要成果之一。

 

这些新型存储器或者具有更快的存取速度,或者具有更高的耐用性,或者具有更小的裸片尺寸、成本和功耗,甚至有可能为未来存储器内计算 (In-Memory Compute)的开发提供支撑。但是由于制造环节存在瓶颈,目前下一代存储器的生产良率并不高,难以实现规模化量产成为市场主流,量少价高,以特殊应用为主。不过,近日记者参加了应用材料公司举办的媒体活动。其中介绍了应用材料公司推出的两款用于下一代存储器MRAM、ReRAM和PCRAM的沉积设备,对于提升下一代存储器的规模量产能力有着极大的帮助。相信随着更多相关设备的开发,未来3-5年当中,下一代存储器有望加快进入市场。

 

材料工程助力下一代存储器量产进程

 

应用材料公司是大的半导体设备公司,一直推动基于材料工程技术的创新与产业变革。材料工程学是半导体技术的基础之一,新型材料的科学运用往往决定着半导体技术的进步。应用材料公司正是积极投入这一领域开发的公司之一。

 

应用材料中国公司技术官赵甘鸣表示,随着摩尔定律的放缓,半导体产业正面临全新的技术变革,需要层的材料工程技术的发展,提供强有力的支撑。为此,过去10年中应用材料公司每年平均用于研发的投入都超过10亿美元,2018财年的研发投入更达到了20亿美元,就是希望推动半导体技术的革新。

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