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北京华测试验仪器有限公司
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阅读：364发布时间：2020-7-22
热释电效应的强弱可用热释电系数来表示。在温度变化∆T的情况下，如果晶体自发极化强度改变了∆P，则∆P与∆T间的关系可用下式表示
∆P=p∆T
值范围分别为i=1,2,3,4,5,6。由于晶体加热时，要保持晶体应变为零的条件是不易实现的，所以在一般情况下测得的是自由热释电系数。
反过来，对热释电晶体绝热施加电场时，其温度将发生变化，这种效应称为逆热释电效应或电生热效应。
利用热释电效应可制成性能良好的红外敏感元件。其对热释电材料的要求是：①能充分吸收入射的红外线；②为了使吸收的单位热能对应大的温度上升幅度，热释电材料体比热应小，且方便加工成微型或薄膜化元件；③跟温度对应的表面电荷变化大，即热释电系数p大，室温下的户值p大，T（居里温度）适当高时，热释电系数p变大（T低使工作温度受到限制，且热释电系数p的温度变化也大）；④与表面电荷变化相应的电容小，即材料的介电量小；⑤构成嗓声源之一的介电损耗角正切tanδ小。
热释电效应的强弱可用热释电系数来表示。在温度变化∆T的情况下，如果晶体自发极化强度改变了∆P，则∆P与∆T间的关系可用下式表示
∆P=p∆T
值范围分别为i=1,2,3,4,5,6。由于晶体加热时，要保持晶体应变为零的条件是不易实现的，所以在一般情况下测得的是自由热释电系数。
反过来，对热释电晶体绝热施加电场时，其温度将发生变化，这种效应称为逆热释电效应或电生热效应。
利用热释电效应可制成性能良好的红外敏感元件。其对热释电材料的要求是：①能充分吸收入射的红外线；②为了使吸收的单位热能对应大的温度上升幅度，热释电材料体比热应小，且方便加工成微型或薄膜化元件；③跟温度对应的表面电荷变化大，即热释电系数p大，室温下的户值p大，T（居里温度）适当高时，热释电系数p变大（T低使工作温度受到限制，且热释电系数p的温度变化也大）；④与表面电荷变化相应的电容小，即材料的介电量小；⑤构成嗓声源之一的介电损耗角正切tanδ小。
热释电效应的强弱可用热释电系数来表示。在温度变化∆T的情况下，如果晶体自发极化强度改变了∆P，则∆P与∆T间的关系可用下式表示
∆P=p∆T
值范围分别为i=1,2,3,4,5,6。由于晶体加热时，要保持晶体应变为零的条件是不易实现的，所以在一般情况下测得的是自由热释电系数。
反过来，对热释电晶体绝热施加电场时，其温度将发生变化，这种效应称为逆热释电效应或电生热效应。
利用热释电效应可制成性能良好的红外敏感元件。其对热释电材料的要求是：①能充分吸收入射的红外线；②为了使吸收的单位热能对应大的温度上升幅度，热释电材料体比热应小，且方便加工成微型或薄膜化元件；③跟温度对应的表面电荷变化大，即热释电系数p大，室温下的户值p大，T（居里温度）适当高时，热释电系数p变大（T低使工作温度受到限制，且热释电系数p的温度变化也大）；④与表面电荷变化相应的电容小，即材料的介电量小；⑤构成嗓声源之一的介电损耗角正切tanδ小。
热释电效应的强弱可用热释电系数来表示。在温度变化∆T的情况下，如果晶体自发极化强度改变了∆P，则∆P与∆T间的关系可用下式表示
∆P=p∆T
值范围分别为i=1,2,3,4,5,6。由于晶体加热时，要保持晶体应变为零的条件是不易实现的，所以在一般情况下测得的是自由热释电系数。
反过来，对热释电晶体绝热施加电场时，其温度将发生变化，这种效应称为逆热释电效应或电生热效应。
利用热释电效应可制成性能良好的红外敏感元件。其对热释电材料的要求是：①能充分吸收入射的红外线；②为了使吸收的单位热能对应大的温度上升幅度，热释电材料体比热应小，且方便加工成微型或薄膜化元件；③跟温度对应的表面电荷变化大，即热释电系数p大，室温下的户值p大，T（居里温度）适当高时，热释电系数p变大（T低使工作温度受到限制，且热释电系数p的温度变化也大）；④与表面电荷变化相应的电容小，即材料的介电量小；⑤构成嗓声源之一的介电损耗角正切tanδ小。
*热释电性能表征*
*热释电性能表征*
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