cas13930-88-6酞菁氧钒(VOPc)  ，齐岳提供

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不同修饰衬底对酞菁氧钒(VOPc)有机薄膜晶体管的影响.通过层表面的静态接触角,酞菁氧钒薄膜的AFM图谱以及XRD图谱来分析判定不同自组装修饰层对器件I-V性质的影响.影响VOPc薄膜生长和OTFTs器件性能的原因既包含界面的亲疏水性能,也包括有机硅烷中烷基链的长度及端基结构.修饰层中不含卤族元素的长链基团能够很好地隔绝VOPc与层之间的相互作用,并降低层表面的陷阱浓度,利于形成大晶粒尺寸的,平整连续的,高取向度的有机半导体薄膜,从而内部载流子的传输效率.这些结论的得出对今后有机半导体薄膜的生长,有机薄膜晶体管性能的以及器件的封装具有很好的指导意义.

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温馨提醒：供科研，不能用于人体实验

以上资料来自西安齐岳生物小编ssl2022.1.21