近红外二区InAsSb铟砷锑量子点

描述：

InAsxSb1-x是一种的III-V族三元化合物半导体材料，也是目前发现的禁带宽度小的本征型III-V族化合物半导体。在室温下InAsxSb1-x的禁带宽度可达0.099eV（对应截止波长为12.5μm）甚至更小。InAsxSb1-x的结构稳定，As与Sb和In之间都是稳定的共价键结合，InAsxSb1-x的载流子迁移率比HgxCd1-xTe高，而且介电常数和室温下的自扩散系数（约5.2×10-16cm2/s）都比较小，这些特点使得InAsSb适合制作红外光电探测器和气体传感器。InAs/InAsSb窄带隙应变层晶格的响应波长（禁带宽度）的控制由Sb组分决定，能够覆盖与InAs/GaSb晶格相同的红外波段，所以在相同的工作波段范围内，相比于InAs/GaSb II类晶格，InAs/InAsSb 晶格体系具有更长的少子寿命，目前有文献报道称，在温度为77K时，InAs/InAsSb 晶格和InAs/GaSb II类晶格两者的少子寿命分别约为412 ns和100 ns

背景：

基于上述分析，本发明旨在提供一种低暗电流、高探测率、高载流子迁移率、长少子寿命等特点的基于InAsSb材料的短波/中波双色红外探测器。

另一个目的是提供一种上述的低暗电流、高探测率、高载流子迁移率、长少子寿命等特点的基于InAsSb材料的短波/中波双色红外探测器的制备方法。

提供的基于InAsSb材料的的短波/中波双色红外探测器具有以下有益：

1. 本发明实施例提供的一种双色红外探测器，通过InAsSb中的Sb组分和InAs/InAsSb晶格各子层厚度的调控实现双色红外探测器对红外辐射的探测，从而使本发明的双色红外探测器能够实现对两种不同波长的红外辐射同时进行探测，了探测。

2. 通过合适的器件能带结构设计及电子势垒层的设计能够地复合暗电流以及隧穿暗电流，从而探测器的性能。

3. 本发明提供的基于InAsSb材料的的短波/中波双色红外探测器，不存在GaSb层，少数载流子寿命更长，有利于探测器的量子效率。

 近红外二区InAsSb铟砷锑量子点

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