Pt/Ti/SiO2/Si Au/Cr/Si外延薄膜
通过磁控溅射方法在硅片镀膜,制备Pt/Ti/SiO2/Si Au/Cr/Si基片
主要性能参数 | ||
| Pt/Ti/SiO2/Si | Au/Cr/Si |
制备方法: | 磁控溅射 | 磁控溅射 |
导电类型 | P型 掺B,N型掺P | P型掺B, N型掺P |
膜厚 ： | Pt：150nm；过渡层Ti：20nm ； SiO2： 500nm | Au,40~100nm,过渡层Cr,20nm |
硅片晶向 | <100>或者<111> | <100>或者<111> |
常规尺寸： | Dia4"；Dia2"；10mm*10mm ；10mm*5mm | Dia2"；10mm*10mm ；10mm*5mm |
供应产品目录：
| SnSe2 二硒化锡晶体 | (Tin diselenide) |
| Bi2Se3 硒化铋晶体-未掺杂 | (Undoped Bismuth Selenide) |
| 三硒化锰（磷掺杂）晶体（99.995%） MnPSe3 | MnPSe3 Crystals |
| 硒化钨晶体（硫掺杂）（99.995%） WSSe | WSSe Crystals |
| 二硒化钨钯晶体（99.995%） PdSe2 | PdSe2 Crystals |
| 硒化铟晶体（99.995%） InSe | InSe Crystals |
| 二硒化钨晶体（99.995%） WSe2 | (Tungsten Diselenide)-N型 |
| 二硒化钼晶体（99.995%） 2H-MoSe2 | (Molybdenum Diselenide)-N型 |
| 三硒化锆晶体（99.995%） ZrSe3 | (Zirconium Triselenide) |
| 硒化锆 ZrSe3 | (Zirconium Triselenide) |
| 硒化金 AuSe | (alpha phase Gold Selenide) |
| 二硒化锆晶体（99.995%） | ZrSe2 (Zirconium Selenide) |
| 二硒化钨晶体（99.995%） | WSe2(Tungsten Diselenide)-P型 |
| 二硒化钒晶体（99.995%） | VSe2 (Vanadium Diselenide) |
| 二硒化钛晶体（99.995%） | 1T-TiSe2(Titanium Selenide) |
| 二硒化钽晶体（99.995%） | 2H-TaSe2 (Tantalum Selenide) |
| 二硒化锡晶体（99.995%） | SnSe2 (Tin Selenide) |
| 二硒化铼晶体（99.995%） | ReSe2(Rhenium Selenide) |
| 二硒化铂晶体（99.995%） | PtSe2 (Platinum Selenide) |
温馨提示：西安齐岳生物供应产品用于科研，不能用于人体
yyp2021.6.24
Pt/Ti/SiO2/Si Au/Cr/Si外延薄膜
智慧城市网